[发明专利]多层陶瓷电子部件及其制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

这个申请要求于2012年2月17日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2012-0016309号的优先权，该韩国专利申请的内容通过引用的方式结合于此。

技术领域

本发明涉及多层陶瓷电子部件及其制造方法，以及更特别地，涉及具有低等效串联电感（ESL）的多层陶瓷电子部件。

背景技术

近来，因为对于电子产品而言趋势已经是将会更小并且具有更高的电容量，被用在电子产品中的电子部件因此已经被要求是更小的并且具有更高的电容量。因此，对于多层陶瓷电子部件的需求正在增加。

在多层陶瓷电容器的情况下，增大的等效串联电感（下文中称为“ESL”）可导致在电子产品性能的劣化，并且因为电子部件变得更小和更高电容量，增大的ESL在劣化电子部件性能方面的影响已经增大。

通常所说的“低电感基片式电容器（LICC）”减小了外部端子之间的距离，并因减小了电流流动路径，从而减小了电容的电感。

但是，当内部电极的引出部分被压缩时，为了减小在电容部件与内部电极的引出部分之间在电极密度上的差异，内部电极可能断裂或者弯曲，并且因此，其中的电流流动路径可被显著地增大，导致增大的ESI。

[相关的文献]

韩国专利第10-0271910号

韩国专利公布第2003-0014712号

发明内容

本发明的方面提供了一种具有相对低的等效串联电感（ESL）的多层陶瓷电子部件及其制造方法。

根据本发明的一个方面，提供了一种多层陶瓷电子部件，包括：陶瓷本体，具有外部电极；以及内部电极，在陶瓷本体内设置在陶瓷层之间，其中，当外部电极被连接和延伸的方向被表示为“宽度方向”；内部电极被层压的方向被表示为“厚度方向”；并且垂直于宽度方向和厚度方向的方向被表示为“长度方向”时，陶瓷本体的宽度小于陶瓷本体的长度，被层压的内部电极的数量是250个或更多个，当陶瓷层的厚度用T_d表示并且内部电极的厚度用T_e表示时，0.5≤T_e/T_d≤2.0，以及在陶瓷本体的沿宽度-厚度方向的横截面中，当陶瓷本体的沿宽度方向的中心部分的厚度用T_m表示并且陶瓷本体的每个侧部的厚度用T_a表示时，0.9≤T_a/T_m≤0.97。

陶瓷本体的沿宽度方向的中心部分可以是在陶瓷本体的沿宽度方向的中心的两侧上在陶瓷本体的宽度的15%内的区段内。

陶瓷本体的侧部可以是从陶瓷本体的沿宽度方向的每侧在陶瓷本体的宽度的10%内的区段。

内部电极可包括：电容形成部分，通过重叠内部电极和相邻的内部电极而形成电容；以及引出部分，从电容形成部分的一部分延伸并且被引出到陶瓷本体的外部，引出部分比电容形成部分更厚。

外部电极可延伸到陶瓷本体的沿宽度方向彼此相对的侧表面上、以及延伸到与侧表面相邻的其它表面的部分上。

陶瓷层的厚度可以是陶瓷层的被设置在相邻的内部电极的电容形成部分之间的厚度。

内部电极的厚度可以是内部电极的电容形成部分的厚度。

沿宽度-厚度方向的横截面可位于在陶瓷本体的沿长度方向的中心的两侧上在陶瓷本体的长度的40%内的区段内。

根据本发明的另一方面，提供了一种制造多层陶瓷电子部件的方法，该方法包括：通过层压250个或更多个内部电极层而制备长方体生基片（green chip），每个内部电极层均被插入在陶瓷层之间，长方体生基片的宽度小于长方体生基片的长度；压缩生基片的沿宽度方向的侧部，从而使得被压缩部分的厚度与未被压缩部分的厚度的比是0.9-0.97；烧结生基片；以及在烧结后的基片的沿宽度方向的侧表面上形成外部电极。

在生基片的制备步骤中，相邻的内部电极可被分别暴露于生基片的相对表面。

在生基片的制备步骤中，可将内部电极形成为使得其引出部分比其电容形成部分更厚。

在压缩步骤中，可沿内部电极的层压方向执行压缩。

在外部电极的形成步骤中，可将外部电极延伸到与沿宽度方向的侧表面相邻的其它表面的部分。

附图说明

本发明的上述的和其它的方面、特征和其它优点将从下面结合附图的详细描述中更清楚地理解，附图中：

图1是根据本发明的实施例的多层陶瓷电子部件的立体图；

图2是根据本发明的实施例的陶瓷本体的示意图；