[发明专利]NAND闪存的镶嵌结构的制造方法

权利要求书

1.一种NAND闪存的镶嵌结构的制造方法，包括：

提供一衬底，具有一存储单元阵列，该存储单元阵列包括沿一方向配置的多个NAND串，其中在该方向上，各该NAND串包括多个字线及位于该多个字线下方的多个浮置栅极，以及位在该多个字线的两端的两个选择晶体管；

于该衬底上形成一第一介电层，该第一介电层覆盖该存储单元阵列；

于邻近的各该NAND串之间形成接触该衬底的至少一接触窗插塞；

于该第一介电层及该接触窗插塞上形成一终止层；

于该终止层上形成一第二介电层；

于该第二介电层上形成一图案化终止层，该图案化终止层具有对应该接触窗插塞的至少一第一开口并露出该第二介电层；

于该图案化终止层上及该第一开口中形成一第三介电层；

于该第三介电层上形成一图案化掩膜层，具有对应该第一开口的至少一第二开口，该第二开口沿该方向延伸并露出该第三介电层；

以该图案化掩膜层为掩膜，移除自该第二开口露出的该第三介电层而形成一沟槽，并继续移除自该第一开口露出的该第二介电层而形成一介层窗并露出该终止层；

移除露出的该终止层，使该接触窗插塞暴露出来；以及

在该沟槽及该介层窗内形成一导体层，该导体层与该接触窗插塞接触。

2.如权利要求1所述的NAND闪存的镶嵌结构的制造方法，其中该第一介电层、该第二介电层及该第三介电层包括氧化硅层。

3.如权利要求1所述的NAND闪存的镶嵌结构的制造方法，其中该终止层及该图案化终止层的材料包括氮化硅。

4.如权利要求1所述的NAND闪存的镶嵌结构的制造方法，其中形成该导体层的步骤包括填满该介层窗而形成一介层窗插塞，并填满该沟槽而形成一位线。

5.如权利要求1所述的NAND闪存的镶嵌结构的制造方法，其中形成该导体层的步骤前还包括移除该图案化掩膜层。

6.如权利要求1所述的NAND闪存的镶嵌结构的制造方法，其中在形成该第一介电层之前，还包括至少在各该选择晶体管的侧壁上形成一间隔壁。

7.如权利要求6所述的NAND闪存的镶嵌结构的制造方法，其中该间隔壁包括氧化硅层。

8.一种NAND闪存的镶嵌结构的制造方法，包括：

提供一衬底，具有一存储单元阵列及一周边区，其中该周边区包括至少一晶体管，该存储单元阵列包括沿一方向配置的多个NAND串，而在该方向上，各该NAND串包括多个字线及位于该多个字线下方的多个浮置栅极，以及位在该多个字线的两端的两个选择晶体管；

于该衬底上形成一第一介电层，该第一介电层覆盖该存储单元阵列及该周边区的该晶体管；

于邻近的各该NAND串之间形成接触该衬底的至少一第一接触窗插塞；

于该第一介电层及该第一接触窗插塞上形成一终止层；

于该终止层上形成一第二介电层；

于该第二介电层上形成一图案化终止层，该图案化终止层具有对应该第一接触窗插塞的至少一第一开口与位于该周边区的至少一第二开口，并露出该第二介电层；

于该图案化终止层上以及该第一开口及该第二开口中形成一第三介电层；

于该第三介电层上形成一图案化掩膜层，其中具有对应该第一开口且沿该方向延伸的至少一第三开口，以及对应该第二开口的至少一第四开口，并露出该第三介电层；

以该图案化掩膜层为掩膜，移除自该第三开口与该第四开口露出的该第三介电层而形成一沟槽，并继续移除自该第一开口及该第二开口露出的该第二介电层而形成一介层窗并露出该终止层；

移除露出的该终止层，使该第一接触窗插塞暴露出来且暴露该周边区的该第一介电层；以及

在该沟槽与该介层窗内形成一导体层，该导体层与该第一接触窗插塞接触。

9.如权利要求8所述的NAND闪存的镶嵌结构的制造方法，其中形成该图案化终止层的步骤包括使该第二开口对应于该周边区的该晶体管上。

10.如权利要求8所述的NAND闪存的镶嵌结构的制造方法，其中形成该第一接触窗插塞的步骤包括于该周边区中的该晶体管的至少一侧形成接触该衬底的至少一第二接触窗插塞。