[发明专利]电荷泵电路及存储器有效
申请号: | 201310029800.1 | 申请日: | 2013-01-25 |
公开(公告)号: | CN103107695A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 杨光军 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H02M3/07 | 分类号: | H02M3/07;G11C5/14 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电荷 电路 存储器 | ||
1.一种电荷泵电路,其特征在于,包括时钟驱动单元、升压单元、上升摆幅控制单元、第一NMOS管、第一电流镜单元、第二NMOS管以及第二电流镜单元,其中:
时钟驱动单元,基于第二电流镜单元输出的第二镜像电流形成时钟驱动信号并输出至升压单元;
升压单元,基于所述时钟驱动信号提升电压,输出升压电压至上升摆幅控制单元和第一电流镜单元;
上升摆幅控制单元,基于所述升压电压输出上升摆幅控制信号至第一NMOS管的栅极;
第一电流镜单元,包括栅极相连的第一PMOS管和第二PMOS管,所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极连接并输入所述升压电压、漏极和栅极均与所述第一NMOS管的漏极连接,所述第二PMOS管的漏极输出第一镜像电流;
所述第一NMOS管的源极为所述电荷泵电路的输出端,所述第二NMOS管的栅极输入第一电压、漏极与所述第二PMOS管的漏极连接;
第二电流镜单元,包括栅极相连的第三NMOS管和第四NMOS管,所述第三NMOS管的源极输入第二电压、漏极和栅极均与所述第二NMOS管的源极连接,所述第四NMOS管的源极输入所述第二电压、漏极输出所述第二镜像电流,所述第二电压小于所述第一电压。
2.根据权利要求1所述的电荷泵电路,其特征在于,所述第一PMOS管的沟道宽长比大于所述第二PMOS管的沟道宽长比。
3.根据权利要求1所述的电荷泵电路,其特征在于,所述第四NMOS管的沟道宽长比大于所述第三NMOS管的沟道宽长比。
4.根据权利要求1所述的电荷泵电路,其特征在于,所述第一电压为电源电压,所述第二电压为地线电压。
5.根据权利要求1所述的电荷泵电路,其特征在于,所述第一NMOS管为零阈值NMOS管。
6.一种存储器,包括擦除控制单元、译码电路和存储阵列,其特征在于,还包括权利要求1至5任一项所述的电荷泵电路。
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