[发明专利]阵列基板及其制作方法及液晶显示装置有效
申请号: | 201310030582.3 | 申请日: | 2013-01-25 |
公开(公告)号: | CN103969902B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 许睿 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1368;G02F1/1362;H01L27/12 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司11270 | 代理人: | 武晨燕,张颖玲 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 液晶 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及液晶显示技术,具体涉及液晶显示技术中的阵列基板及其制作方法及采用该阵列基板制作的液晶显示装置。
背景技术
随着各种显示器材的不断更新换代,显示屏的精细化设计已经成为平板显示行业的重要趋势,各大手机及平板公司陆续推出高解析度的显示屏。新兴的显示技术使用超高分辨率,高像素密度(PPI)技术,以达到文字清晰、画质生动鲜活的效果。300PPI是人眼能够看到的极限分辨率,当像素密度超过300PPI时,人眼就无法区分出单独的像素,不会再出现颗粒感,可以使人在看显示屏时达到看纸制品的感觉。由于其分辨率已经超出了人眼所能看到的极限,因此得名视网膜显示技术。但高PPI对像素设计提出了挑战,在保证像素透过率的同时还要保证显示屏整体的显示效果,其中显示屏的公共电极(Vcom)信号的均一性对显示屏的闪烁及串扰等有重要影响,显示屏的尺寸越大,公共电极信号的稳定性对显示屏整体显示效果的影响越大。
现有的阵列基板设计中,一般只包含一个薄膜晶体管(TFT),集成电路(IC)只提供一个公共电极电压。如图1所示,在数据线信号电压(曲线A)开始和关闭的瞬间,公共电极电压(曲线B)受数据线信号电压影响出现波动(如图1中圆圈所示的区域),被数据线信号电压拉低或拉高,提拉的幅值大约在0.5V左右,公共电极电压的不稳定引起屏幕的闪烁。
因此,如何提供一种阵列基板设计,使公共电极电压保持稳定,提高液晶显示器在高PPI下的显示效果,成为本领域亟待解决的问题。
发明内容
有鉴于此,本发明的主要目的在于提供一种阵列基板及其制作方法及液晶显示装置,通过在阵列基板中增加另外的薄膜晶体管设计,补偿由于数据线信号的反转导致的公共电极信号的波动,使公共电极电压平稳的输出,从而提高显示屏的整体显示效果。
为达到上述目的,本发明提供一种阵列基板,所述阵列基板包括:栅线、数据线、以及由栅线和数据线交叉形成的像素单元,所述像素单元内形成第一薄膜晶体管和像素电极,所述像素电极具有狭缝结构,其特征在于,所述阵列基板还包括第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管包括第一公共电极和第二公共电极,且所述第二薄膜晶体管设置为当数据线信号为高电平时开启,并将第一公共电极的信号传输至第二公共电极。
进一步地,所述第二薄膜晶体管的栅极与所述数据线同层,且连接,所述第一公共电极和所述第二公共电极分别形成所述第二薄膜晶体管的源极和漏极。
进一步地,所述第一薄膜晶体管的栅极与所述栅线同层,且连接,所述第一薄膜晶体管的源极和漏极与所述数据线同层,且所述第一薄膜晶体管的源极与所述数据线连接,所述第一薄膜晶体管的源极与漏极之间形成沟道,所述第一薄膜晶体管的漏极与所述数据线不连接。
进一步地,所述阵列基板具体包括:
栅线和第一薄膜晶体管的栅极,形成于所述基板的上方;
栅绝缘层,覆盖所述栅线和所述第一薄膜晶体管的栅极及所述基板;
第一公共电极,形成于所述栅绝缘层上方;
第一钝化保护层,覆盖所述栅绝缘层及所述第一公共电极;
第二公共电极,形成于所述第一钝化保护层上方;
有源层,形成于与所述第一薄膜晶体管的栅极和所述数据线对应的第一钝化保护层的上方;
第二钝化保护层,覆盖与所述第二薄膜晶体管对应的有源层;
数据线及第一薄膜晶体管的源极和漏极,所述数据线形成于所述第一钝化保护层的上方,所述第一薄膜晶体管的源极和漏极形成于与所述第一薄膜晶体管对应的有源层的上方,且与所述数据线同层,所述第一薄膜晶体管的源极与漏极之间形成有沟道;
第三钝化保护层,覆盖所述数据线、所述第一薄膜晶体管的源极和漏极、所述第二公共电极、所述有源层及所述第一钝化保护层;
像素电极,形成于所述第三钝化保护层上方;
其中,所述第一钝化保护层上形成有第一过孔,所述第一过孔中填充有源层,所述第一公共电极与所述第二公共电极通过所述第一过孔中的有源层连接;所述第三钝化保护层上形成有第二过孔,所述第二薄膜晶体管的漏极与所述像素电极通过所述第二过孔连接。
进一步地,所述栅线的膜层厚度为200-400nm,所述栅绝缘层的膜层厚度为300-500nm。
进一步地,所述第一公共电极的膜层厚度为30-70nm,所述第一钝化保护层的膜层厚度为300-600nm,所述有源层的膜层厚度为140-300nm,所述第二公共电极的膜层厚度为300-500nm。
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