[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310031224.4 | 申请日： | 2013-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN103972090B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 邓坚;罗军;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
在包含硅元素的衬底上形成栅极堆叠结构；
在衬底中形成富镍相硅化物；
执行离子注入，向富镍相硅化物中注入含有C的掺杂离子，注入的离子改变了硅化物的晶体结构使得在富镍相硅化物中固溶度较高；
执行驱动退火，使得富镍相硅化物转变为镍基金属硅化物以用作源漏区，并使得镍基金属硅化物与衬底界面处形成含有C的介质层以降低肖特基势垒高度。
2.如权利要求1的半导体器件的制造方法，其中，衬底包括体硅、SOI、GeSi、SiC。
3.如权利要求1的半导体器件的制造方法，其中，形成富镍相硅化物的步骤进一步包括：
在衬底以及栅极堆叠结构上沉积镍基金属层；
执行第一退火，使得衬底中的硅与镍基金属层反应形成富镍相金属硅化物；
剥除未反应的镍基金属层。
4.如权利要求3的半导体器件的制造方法，其中，镍基金属层包括Ni、Ni-Pt、Ni-Co、Ni-Pt-Co。
5.如权利要求3的半导体器件的制造方法，其中，镍基金属层中镍含量大于等于90％。
6.如权利要求3的半导体器件的制造方法，其中，镍基金属层的厚度为1至100nm。
7.如权利要求3的半导体器件的制造方法，其中，第一退火在200至350℃温度下进行10至300s。
8.如权利要求1的半导体器件的制造方法，其中，富镍相金属硅化物包括Ni2Si、Ni3Si、Ni2PtSi、Ni3PtSi、Ni2CoSi、Ni3CoSi、Ni3PtCoSi。
9.如权利要求1的半导体器件的制造方法，其中，驱动退火在450至850℃温度下进行。
10.如权利要求1的半导体器件的制造方法，其中，镍基金属硅化物包括NiSi、NiPtSi、NiCoSi、NiPtCoSi。
11.如权利要求1的半导体器件的制造方法，其中，掺杂离子进一步包括O、N及其组合，介质层包括掺杂C的氧化硅、掺杂C的氮化硅、掺杂C的氮氧化硅及其组合。
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