[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S11，在衬底基板上依次形成栅线图形，栅绝缘层，有源层图形，源、漏电极及数据线图形，钝化层图形；

S12，在形成有所述钝化层的衬底基板上形成透明导电薄膜，由一次构图工艺形成包括像素电极、公共电极的图形，其中，所述像素电极与所述漏电极连接。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S11包括：

S111，提供一衬底基板；

S112，在所述衬底基板上形成金属薄膜，由构图工艺形成栅线的图形；

S113，在完成步骤S112的衬底基板上形成栅绝缘层；

S114，在所述栅绝缘层上形成半导体薄膜，由构图工艺形成包括位于栅绝缘层上的有源层的图形；

S115，在完成步骤S114的衬底基板上形成数据金属层薄膜，由构图工艺对所述数据金属层薄膜进行处理，形成位于所述有源层上的源电极、漏电极的图形，并形成数据线的图形；

S116，在完成步骤S115的衬底基板上形成钝化层，由构图工艺形成所述钝化层上的过孔。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S112包括：

在所述衬底基板上形成金属薄膜；

利用掩模板通过构图工艺对所述金属薄膜进行处理，形成栅线的图形。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S114包括：

在所述栅绝缘层上形成半导体薄膜；

采用掩模板通过构图工艺对所述半导体薄膜进行处理，形成包括位于栅绝缘层上的有源层图形。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S115包括：

在所述有源层上形成数据金属层薄膜；

采用掩模板通过构图工艺对所述数据金属层薄膜进行处理，形成位于所述有源层上的源电极、漏电极的图形，并形成数据线的图形。

6.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S116包括：

在露出的所述栅绝缘层上、所述源电极上、所述漏电极上形成钝化层；

由掩模板的构图工艺形成相对于像素区域的贯穿所述钝化层的过孔以及漏电极区域的贯穿所述钝化层的过孔，并漏出所述栅绝缘层。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S12包括：

在完成步骤S11的钝化层上形成透明导电薄膜；

采用掩模板通过构图工艺对所述透明导电薄膜进行处理，形成包括像素电极、公共电极的图形；

利用刻蚀工艺将所述公共电极与所述像素电极刻蚀断开。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括：

S13，利用平坦化层或者树脂层将步骤S12完成的衬底基板上的空隙填平。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括：

S14，在步骤S13完成的衬底基板上涂覆摩擦取向层。

10.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为按照如权利要求1－9任一项所述的方法制作而成。