[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，特别是指一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法。

背景技术

以TFT-LCD（薄膜晶体管－液晶显示装置）为代表的液晶显示，作为一种重要的平板显示，近年来得到了飞速的发展，受到了广泛的关注。

现有技术中，普遍采用的6次掩膜（mask）制备工艺，虽然相对于传统的7mask工艺要简单，但是仍然存在工艺流程复杂，产能和设备利用效率不高等缺陷。

传统的6次掩膜（mask）制备阵列基板的工艺中，在完成源漏电极和数据线的图形后，需要沉积像素ITO，并对像素ITO进行一次掩膜工艺，得到像素电极，之后再沉积钝化层，并在钝化层上进行一次掩膜工艺，制作过孔；再在钝化层上沉积公共电极ITO，再进行一次掩膜工艺，制作公共电极的图形。

该工艺中，在制作像素电极和公共电极时，分别用两次掩膜工艺，步骤繁琐，产能低。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，减少制作薄膜晶体管阵列基板的掩膜工艺步骤，提高产能和降低成本。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括以下步骤：

S11，在衬底基板上依次形成栅线图形，栅绝缘层，有源层图形，源、漏电极及数据线图形，钝化层图形；

S12，在形成有所述钝化层的衬底基板上形成透明导电薄膜，由一次构图工艺形成包括像素电极、公共电极的图形，其中，所述像素电极与所述漏电极连接。

其中，所述步骤S11包括：

S111，提供一衬底基板；

S112，在所述衬底基板上形成金属薄膜，由构图工艺形括栅线的图形；

S113，在完成步骤S112的衬底基板上形成栅绝缘层；

S114，在所述栅绝缘层上形成半导体薄膜，由构图工艺形成包括位于栅绝缘层上的有源层的图形；

S115，在完成步骤S114的衬底基板上形成数据金属层薄膜，由构图工艺对所述数据金属层薄膜进行处理，形成位于所述有源层上的源电极、漏电极的图形，并形成数据线的图形；

S116，在完成步骤S115的衬底基板上形成钝化层，由构图工艺形成所述钝化层上的过孔。

其中，所述步骤S112包括：

在所述衬底基板上形成金属薄膜；

利用掩模板通过构图工艺对所述金属薄膜进行处理，形成栅线的图形。

其中，所述步骤S114包括：

在所述栅绝缘层上形成半导体薄膜；

采用掩模板通过构图工艺对所述半导体薄膜进行处理，形成包括位于栅绝缘层上的有源层图形。

其中，所述步骤S115包括：

在所述有源层上形成数据金属层薄膜；

采用掩模板通过构图工艺对所述数据金属层薄膜进行处理，形成位于所述有源层上的源电极、漏电极的图形，并形成数据线的图形。

其中，所述步骤S116包括：

在露出的所述栅绝缘层上、所述源电极上、所述漏电极上形成钝化层；

由掩模板的构图工艺形成相对于像素区域的贯穿所述钝化层的过孔以及漏电极区域的贯穿所述钝化层的过孔，并漏出所述栅绝缘层。

其中，所述步骤S12包括：

在完成步骤S11的钝化层上形成透明导电薄膜；

采用掩模板通过构图工艺对所述透明导电薄膜进行处理，形成包括像素电极、公共电极的图形；

利用刻蚀工艺将所述公共电极与所述像素电极刻蚀断开。

其中，上述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法还包括：

S13，利用平坦化层或者树脂层将步骤S12完成的衬底基板上的空隙填平。

其中，上述薄膜晶体管阵列基板的制作方法还包括：

S14，在步骤S13完成的衬底基板上涂覆摩擦取向层。

本发明的实施例还提供一种薄膜晶体管阵列基板，所述阵列基板为按照如上所述的方法制作而成。

本发明的上述技术方案的有益效果如下：

上述方案中，通过在制作像素电极和公共电极的时候，将其合并为一次工艺制成，然后利用公共电极的构图工艺将像素电极和公共电极刻蚀断开，从而使阵列基板的制作工艺由原来的6构图工艺简化为5构图工艺，从而达到减少工艺步骤的目的，，使阵列基板的制作成本降低，并提高产能。

附图说明

图1为本发明的阵列基板的制作方法中，栅金属层经过第一次掩膜工艺形成栅线以及存储电容的底电极的剖面图；