[发明专利]像素结构、阵列基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201310031970.3 申请日: 2013-01-28
公开(公告)号: CN103163704A 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: 曾勉;金在光;涂志中;尹傛俊 申请(专利权)人: 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王莹
地址: 230011 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 像素 结构 阵列 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种像素结构,其特征在于:

所述像素结构的公共电极包括第一公共电极和第二公共电极;

所述第一公共电极与栅极扫描线同层但不相连;

所述第二公共电极与数据电极同层但不相连。

2.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一公共电极包括第一电极条,所述第一电极条与所述栅极扫描线平行。

3.如权利要求2所述的像素结构,其特征在于,所述第一公共电极还包括由所述第一电极条延伸出的第一次电极条,所述第一次电极条与所述第一电极条垂直。

4.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第二公共电极包括第二电极条,所述第二电极条与所述数据电极平行。

5.如权利要求4所述的像素结构,其特征在于,所述第二公共电极还包括由所述第二电极条延伸出的第二次电极条,所述第二次电极条与所述第二电极条垂直。

6.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一公共电极和第二公共电极在部分或全部交叠处用过孔连接。

7.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板的像素结构采用权利要求1-6任一所述的像素结构。

8.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板的每一行的所有像素结构的第一公共电极相连,形成第一公共电极线;所述阵列基板的每一列的所有像素结构的第二公共电极相连,形成第二公共电极线。

9.如权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述第一公共电极线和/或第二公共电极线上有一处或多处公共电压信号输入点。

10.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板为a-Si薄膜晶体管阵列基板或氧化物薄膜晶体管阵列基板。

11.一种液晶面板,其特征在于,所述液晶面板的的阵列基板采用权利要求7-10任一所述的阵列基板。

12.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1:在基板上形成栅电极层,利用所述栅电极层形成栅电极图案和第一公共电极线;

S2:依次形成栅绝缘层和有源层;

S3:有源层上形成有源层图案,在栅绝缘层上形成第一过孔;

S4:形成源漏电极层,利用所述源漏电极层形成数据电极图案和第二公共电极线,同时第二公共电极线通过所述第一过孔与第一公共电极线相连;

S5:然后依次形成钝化层和像素电极。

13.如权利要求12所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,步骤S3中形成有源层图案的流程与形成所述第一过孔的流程不分先后。

14.如权利要求12所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,所述步骤S3由步骤S3’替换,所述步骤S3’进一步包括:

S31:有源层上形成有源层图案,

S32:形成刻蚀阻挡层,在所述刻蚀阻挡层上形成第一过孔和第二过孔;

所述步骤S4形成的数据电极图案通过所述第二过孔与有源层图案相连。

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