[发明专利]像素结构、阵列基板及其制造方法有效
申请号: | 201310031970.3 | 申请日: | 2013-01-28 |
公开(公告)号: | CN103163704A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 曾勉;金在光;涂志中;尹傛俊 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
地址: | 230011 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 阵列 及其 制造 方法 | ||
1.一种像素结构,其特征在于:
所述像素结构的公共电极包括第一公共电极和第二公共电极;
所述第一公共电极与栅极扫描线同层但不相连;
所述第二公共电极与数据电极同层但不相连。
2.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一公共电极包括第一电极条,所述第一电极条与所述栅极扫描线平行。
3.如权利要求2所述的像素结构,其特征在于,所述第一公共电极还包括由所述第一电极条延伸出的第一次电极条,所述第一次电极条与所述第一电极条垂直。
4.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第二公共电极包括第二电极条,所述第二电极条与所述数据电极平行。
5.如权利要求4所述的像素结构,其特征在于,所述第二公共电极还包括由所述第二电极条延伸出的第二次电极条,所述第二次电极条与所述第二电极条垂直。
6.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一公共电极和第二公共电极在部分或全部交叠处用过孔连接。
7.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板的像素结构采用权利要求1-6任一所述的像素结构。
8.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板的每一行的所有像素结构的第一公共电极相连,形成第一公共电极线;所述阵列基板的每一列的所有像素结构的第二公共电极相连,形成第二公共电极线。
9.如权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述第一公共电极线和/或第二公共电极线上有一处或多处公共电压信号输入点。
10.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板为a-Si薄膜晶体管阵列基板或氧化物薄膜晶体管阵列基板。
11.一种液晶面板,其特征在于,所述液晶面板的的阵列基板采用权利要求7-10任一所述的阵列基板。
12.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:在基板上形成栅电极层,利用所述栅电极层形成栅电极图案和第一公共电极线;
S2:依次形成栅绝缘层和有源层;
S3:有源层上形成有源层图案,在栅绝缘层上形成第一过孔;
S4:形成源漏电极层,利用所述源漏电极层形成数据电极图案和第二公共电极线,同时第二公共电极线通过所述第一过孔与第一公共电极线相连;
S5:然后依次形成钝化层和像素电极。
13.如权利要求12所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,步骤S3中形成有源层图案的流程与形成所述第一过孔的流程不分先后。
14.如权利要求12所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,所述步骤S3由步骤S3’替换,所述步骤S3’进一步包括:
S31:有源层上形成有源层图案,
S32:形成刻蚀阻挡层,在所述刻蚀阻挡层上形成第一过孔和第二过孔;
所述步骤S4形成的数据电极图案通过所述第二过孔与有源层图案相连。
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