[发明专利]像素结构、阵列基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201310031970.3 申请日: 2013-01-28
公开(公告)号: CN103163704A 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: 曾勉;金在光;涂志中;尹傛俊 申请(专利权)人: 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王莹
地址: 230011 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 像素 结构 阵列 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种像素结构、阵列基板及其制造方法。

背景技术

国内液晶显示技术在近几年得到了飞速的发展,薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)的各方面技术在不断地发展进步,消费者对显示设备的需求也在不断增长,对画面显示的各方面要求也越来越高。液晶显示屏的Greenish现象是指液晶显示屏在特定的显示画面下,像素电压上的数据脉冲引起的Vcom的电压的变化不能相互抵消,从而引起绿色像素的亮度增加会有颜色发绿的现象。在液晶显示器(LCD)显示质量的评价参数中,Greenish指数是一个很重要的参数,Greenish指数越低,显示性能越好。近年来,随着显示器分辨率及显示器尺寸的不断提高,Greenish问题改善设计变得越来越重要。从技术上讲,降低显示区域内的公共电极线(Common)的电阻,以及增加面板内公共电极信号输入点就是降低Greenish指数有效的方法之一。

图1为现有薄膜晶体管液晶显示器的截面结构示意图,现有的TFT-LCD包括薄膜晶体管阵列基板11和彩膜滤光基板12,以及两基板间的液晶材料15。背光源发出的光线经过下偏光片,成为具有一定偏振方向的偏振光。通过对彩膜滤光基板12上的透明公共电极10施加公共电压和对阵列基板11上的像素电极4施加数据电压,使液晶分子在透明公共电极10和像素电极4间的电场作用下偏转。通过数据电压的变化和薄膜晶体管1的开关作用可以调整该电场强度和方向,以此控制液晶材料15的扭转角度,从而可控制该区域光的透过量。偏振光透过相应的彩膜色层9后形成单色偏振光,显示出相应的颜色。电场强度不同,液晶分子的偏转角度也不同,透过的光强也不一样,显示的亮度也不同。通过红绿蓝三种颜色的不同光强的组合来显示具有不同色彩的图像。另外,现有阵列基板的像素结构中还包括有存储电容(Cst)13,由像素电极与公共电极交叠形成,使得像素结构具有电压保持以维持显示画面稳定的功能。

为了在像素结构中设置存储电容,一般需要在像素结构中形成存储电容的电极,而现有像素结构中的存储电容的两个电极是由栅极金属形成的公共电极和氧化铟锡材料形成的像素电极组成。而由栅极金属形成的公共电极是不透明的,而若是为了增加存储电容而增加电容电极的交叠面积,则必然会降低像素结构的开口率。

此外,如图2和图3所示,由于现有技术的阵列基板的像素结构中,公共电极线50都是由栅极扫描线2掩膜板制作而成,和栅极扫描线2处于同层。为了避免与栅极扫描线2交叉,因此在阵列基板内公共电极线50的导通方向与栅极扫描线2平行。公共电极线50横向贯穿液晶面板,如图4所示,其公共电压信号一般是通过面板左右两端的数据端口(Data IC)导入,因此其公共电极线50导通路径较长,容易引起信号延迟较大,从而导致液晶面板内公共电压信号不均匀而引起液晶面板的Greenish不良现象,造成液晶面板画面显示的品质问题。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是:提供一种能保证在增加存储电容的同时,提高像素结构的开口率,而且有效减少公共电压信号延迟,改善液晶显示画面品质的像素结构、阵列基板及其制造方法。

(二)技术方案

为解决上述问题,本发明提供了一种像素结构,所述像素结构的公共电极包括第一公共电极和第二公共电极;所述第一公共电极与栅极扫描线同层但不相连;所述第二公共电极与数据电极同层但不相连。

优选地,所述第一公共电极包括第一电极条,所述第一电极条与所述栅极扫描线平行。

优选地,所述第一公共电极还包括由第一电极条延伸出的第一次电极条,所述第一次电极条与所述第一电极条垂直。

优选地,所述第二公共电极包括第二电极条,所述第二电极条与所述数据电极平行。

优选地,所述第二公共电极还包括由第二电极条延伸出第二次电极条,所述第二次电极条与所述第二电极条垂直。

优选地,所述第一公共电极和第二公共电极在部分或全部交叠处用过孔连接。

基于上述的像素结构,本发明另一方面提出了采用上述像素结构的一种阵列基板。优选地,所述阵列基板的每一行的所有像素结构的第一公共电极相连,形成第一公共电极线;所述阵列基板的每一列的所有像素结构的第二公共电极相连,形成第二公共电极线。

优选地,所述第一公共电极线和/或第二公共电极线上有一处或多处公共电压信号输入点。

优选地,所述阵列基板为a-Si薄膜晶体管阵列基板或氧化物薄膜晶体管阵列基板。

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