[发明专利]一种容积可调的组合式坩埚无效

专利信息
申请号: 201310032178.X 申请日: 2013-01-18
公开(公告)号: CN103060922A 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 奕雪春 申请(专利权)人: 奕雪春
主分类号: C30B35/00 分类号: C30B35/00;C30B29/06;C30B15/10;C30B11/00;C30B28/06;C30B28/10
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地址: 315322 *** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 容积 可调 组合式 坩埚
【说明书】:

【技术领域】

发明涉及人工晶体领域,具体地说本发明涉及一种容积可调的组合式坩埚。

【背景技术】

已知的,人工晶体种类繁多,其中太阳能发电中使用的单晶硅、多晶硅在太阳能发电领域起到不可或缺的作用;在加工单晶硅、多晶硅中,通常会使用坩埚进行拉制或注锭,单晶硅、多晶硅的拉制或注锭中石英坩埚较为常用;使用坩埚进行拉制或注锭,先将粉碎的单晶硅或多晶硅碎块放入坩埚,然后利用密闭的炉室内环绕坩埚外部的加热套将坩埚内的单晶硅或多晶硅碎块融化,由拉制装置上的籽晶插入融化的晶液中缓慢提升,形成晶体柱,所述晶体柱便是成品晶棒;或利用利用密闭的炉室内环绕坩埚外部的加热套将坩埚内的单晶硅或多晶硅碎块融化,融化单晶硅或多晶硅碎块时,通过控制加热套使坩埚底部形成略低于上部的低温区域,也就是本领域俗称的阶梯温度,通过设置在坩埚底部未融化的籽晶,使降低温度坩埚内的晶液结晶,形成晶锭。

上述过程中,由于坩埚内单晶硅或多晶硅碎块间隙较大,使得融化的单晶硅或多晶硅晶液量较小,若加工成大深度的坩埚,经受加工晶体柱或晶锭的坩埚只能使用几天便会报废,主要是坩埚底部的损坏,上部却是完好的,造成严重浪费,深度较小的坩埚单晶硅或多晶硅晶的晶液量较小。

【发明内容】

为了克服背景技术中的不足,本发明公开了一种容积可调的组合式坩埚,通过将坩埚分为坩埚和附加筒A、附加筒B,实现了易损坏部分可以独立更换,耐用部分可以多次使用,本发明人相对于现有技术使用成本得到了大幅度的降低。

为了实现上述发明的目的,本发明采用如下技术方案:

一种容积可调的组合式坩埚,包括坩埚、附加筒A,坩埚上端的坩埚上沿面上设有环绕的环状凹槽;附加筒A的上端面为平面,在附加筒A的下端面上设有环绕的向下延伸凸起环;所述附加筒A下端面上设置的凸起环与坩埚上沿设置的环状凹槽插接,所述凸起环与环状凹槽吻配且附加筒A的下端面与坩埚上沿对接形成容积可调的组合式坩埚。

所述的容积可调的组合式坩埚,在坩埚内的腔体上、附加筒A的内部面上分别设有钡涂层。

所述的容积可调的组合式坩埚,所述坩埚内腔体上、附加筒A内部面上的钡涂层厚度为1~2mm。

所述的容积可调的组合式坩埚,设置在坩埚上沿的所述环状凹槽为“U”形槽或“V”形槽;设置在附加筒A下端面的凸起环为“U”形凸起或“V”形凸起。

所述的容积可调的组合式坩埚,在坩埚与附加筒A之间设有附加筒B,所述附加筒B的筒上沿和下端面上分别设有环状凹槽、凸起环。

所述的容积可调的组合式坩埚,设置在附加筒B筒上沿的所述环状凹槽为“U”形槽或“V”形槽;设置在附加筒B下端面的凸起环为“U”形凸起或“V”形凸起。

所述的容积可调的组合式坩埚,在附加筒B的内部面上设有钡涂层。

所述的容积可调的组合式坩埚,附加筒B内部面上设置的钡涂层厚度为1~2mm。

通过上述公开内容,本发明的有益效果是:

本发明所述容积可调的组合式坩埚,通过将坩埚分为坩埚和附加筒A,也可增加附加筒B,在使用时通过附加筒A、附加筒B和坩埚的组合,实现了易损坏部分可以独立更换,耐用部分可以多次使用,本发明人经过测试,附加筒A、附加筒B的使用期限是坩埚的二十倍以上,且保证性能不会降低;本发明使得容易损坏的坩埚下部及时更换,上部完好部分多次使用,相对于现有技术本发明加工成本虽然略有提高,但使用成本得到了大幅度的降低,融化晶体时稳定性较高;本发明坩埚使用的材质为石英砂,鉴于石英砂在高温下容易出现石英砂成份与单晶硅或多晶硅的混合,使得单晶硅或多晶硅内出现不应有的成份,本发明在坩埚、附加筒A和附加筒B上设置的钡涂层可以确保单晶硅的质量。

【附图说明】

图1是本发明的立体结构示意图;

图2是本发明的结构示意图;

图3是本发明的组合结构示意图;

在图中:1、附加筒A;2、凸起环;3、环状凹槽;4、筒上沿;5、附加筒B;6、坩埚上沿;7、腔体;8、坩埚。

【具体实施方式】

下面结合实施例对本发明进行进一步的说明;下面的实施例并不是对于本发明的限定,仅作为支持实现本发明的方式,在本发明所公开的技术框架内的任意等同结构替换,均为本发明的保护范围;

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