[发明专利]非挥发性存储器存储单元特性评估方法

权利要求书

1.一种非挥发性存储器存储单元特性评估方法，对非挥发性存储器的存储单元存储管进行阈值电压扫描，所述非挥发性存储器能存储数据0和数据1两种数据，其特征在于：

定义存储数据0的存储单元表现为负的阈值电压，存储数据1的存储单元表现为正的阈值电压；

首先，对非挥发性存储器阵列进行数据0和1的写入；

向所述存储单元的存储管栅极加正电压或者负电压，同时读出非挥发性存储器中的数据，并与最初写入的数据进行比较，在此过程中，逐步增大向栅极施加电压的绝对值；

当施加到栅极电压绝对值到达一定值之后，所述存储单元的存储管会陆续发生0、1之间互相的数据翻转，发生数据翻转时栅极所加的电压值即为所对应的存储单元存储管的阈值电压；

通过位图记录工具同步记录下发生数据0、1之间互相转换的存储管的地址及实时栅极电压的信息，即能得出所述非挥发性存储器的阈值电压分布情况。

2.如权利要求1所述的非挥发性存储器存储单元特性评估方法，其特征在于：若向非挥发性存储器预先写入的数据全为1，则在对非挥发性存储器进行读操作时，是向存储单元的栅极施加正电压，逐步增大所述电压值，用位图工具记录下每个电压值下发生数据1转换为0的存储单元数量及位置坐标，直到所有的存储单元的数据1都转换为0为止；则获得非挥发性存储器阵列所有存储单元写入数据1对应的阈值电压分布数据。

3.如权利要求1所述的非挥发性存储器存储单元特性评估方法，其特征在于：若向非挥发性存储器预先写入的数据全为0，则在对非挥发性存储器进行读操作时，是向存储单元的栅极施加负电压，逐步增大所述负电压绝对值，用位图工具记录下每个电压值下发生0转换为1的存储单元数量及位置坐标，直到所有的存储单元的数据0都转换为1为止；则获得非挥发性存储器阵列所有存储单元写入数据0对应的阈值电压分布数据。

4.如权利要求1和2及3所述的非挥发性存储器存储单元特性评估方法，其特征在于：若非挥发性存储器单元内预先写入的数据同时包含有1和0，则对数据为1的存储单元进行栅极施加正电压的相应操作，则获得非挥发性存储器阵列所有写入数据1的存储单元对应的阈值电压分布数据；对数据为0的存储单元进行栅极施加负电压的相应操作，则获得非挥发性存储器阵列所有写入数据0的存储单元对应的阈值电压分布数据。

5.如权利要求1所述的非挥发性存储器存储单元特性评估方法，其特征在于：施加到非挥发性存储器存储管栅极上的电压是从0V开始，电压绝对值逐渐增大，直到所有的存储管全部发生数据翻转为止。

6.如权利要求1所述的非挥发性存储器存储单元特性评估方法，其特征在于：通过对位图记录工具记录的信息进行分析，得到存储单元阈值电压的均一性或离散性、中心分布特性，以及存储单元异常分布的阵列内分布特性。