[发明专利]非挥发性存储器存储单元特性评估方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体集成电路测试领域，特别是指一种非挥发性存储器存储单元特性评估方法。

背景技术

非挥发性存储器（NVM:Non-Volatile Memory），是一种掉电后仍能保存数据的一种存储器，即存储器（注：本说明书中以下若简称存储器均指非挥发性存储器）内部存储的数据不会因为电源供电的中断而消失，在重新供电后，内部数据可以读出。

非挥发性存储器的存储内核（cell）是由一系列的位于字线及位线上的存储管存储管阵列构成，通过地址选择与施加编程电压，改变存储阵列中某些存储管的阈值电压，从而改变存储单元的存储状态。在读电路中设定一个阈值电压的比较判定标准，则分布在判定标准两边的阈值电压对应于数据0和数据1，因此，组成存储阵列的存储管的阈值电压VT，是非挥发性存储器工作特性的一个重要指标。由于制造工艺等原因，构成存储阵列的个体存储管之间的阈值电压存在差异，目前一般在测试非挥发性存储器存储单元的阈值电压分布情况时，是对存储器芯片进行读操作，通过一个端子施加正电压或者负电压,当有一个存储单元发生0和1之间的变化时,就停止测试。因此，现有方法只能得到每个芯片中阈值电压绝对值最小的那个存储单元的阈值电压值，样本数量有限，难以得出产品中所有存储单元的阈值电压特性统计数据。如下表所示,表中X及Y分别代表存储器中的字线及位线，表征存储管在存储阵列内的位置，VTE是擦除电压，对应于数据0，VTP是编程电压，对应于数据1。现有测试方法只能用全部存储单元中阈值电压绝对值最小的那个存储单元的阈值电压来代表整个芯片的阈值电压特性。

XYVTEVTP30410.45V1.95V30420.47V1.95V31430.48V1.93V40480.47V1.93V

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种非挥发性存储器存储单元特性评估方法。

为解决上述问题，本发明所述的非挥发性存储器存储单元特性评估方法，对非挥发性存储器的存储单元存储管进行阈值电压扫描，所述非挥发性存储器能存储数据0和数据1两种数据：

定义存储数据0的存储单元表现为负的阈值电压，存储数据1的存储单元表现为正的阈值电压；

首先，对非挥发性存储器阵列进行数据0和1的写入；

向所述存储单元的存储管栅极加正电压或者负电压，同时读出非挥发性存储器中的数据，并与最初写入的数据进行比较，在此过程中，逐步增大向栅极施加电压的绝对值；

当施加到栅极电压绝对值到达一定值之后，所述存储单元的存储管会陆续发生0、1之间互相的数据翻转，发生数据翻转时栅极所加的电压值即为所对应的存储单元存储管的阈值电压；