[发明专利]具有腐蚀阻抑剂的包封剂

权利要求书

1.一种封装的电子装置，包括：

电子装置；

导电结构；

包封该导电结构的包封剂，其中，所述包封剂包括氯化物和腐蚀阻抑剂，腐蚀阻抑剂为带负电荷的离子；

在所述包封剂中，所述带负电荷的离子的数量至少为百万分之150，所述带负电荷的离子包括下列中的至少一个：醋酸根、甲酸根、酒石酸根和亚硝酸根；

其中，在所述包封剂中，所述带负电荷的离子的浓度至少为氯化物离子的浓度的五倍，以防止当所述导电结构带正电荷时被氯化物离子腐蚀。

2.根据权利要求1所述的封装的电子装置，其中，所述电子装置包括接合盘，并且，所述导电结构包括线接合件，所述线接合件包括附接到所述接合盘的导电接合材料和从所述导电接合材料延伸的导线。

3.根据权利要求2所述的封装的电子装置，其中，在所述接合盘和所述导电接合材料之间形成有包括铜和铝的金属间化合物层。

4.根据权利要求3所述的封装的电子装置，其中，所述腐蚀阻抑剂的浓度足以防止当所述导电接合材料和所述接合盘带正电荷时所述金属间化合物层被氯化物离子腐蚀。

5.一种制造封装的电子装置的方法，包括：

提供电子装置和与该电子装置电耦接的导电结构；

对所述导电结构施加包封剂，其中，所述包封剂包括氯化物和腐蚀阻抑剂，腐蚀阻抑剂为带负电荷的离子，在所述包封剂中，所述带负电荷的离子的浓度至少为氯化物离子的浓度的五倍，以防止当所述导电结构带正电荷时被氯化物离子腐蚀；

在所述包封剂中，所述带负电荷的离子的数量至少为百万分之150，所述带负电荷的离子包括下列中的至少一个：醋酸根、甲酸根、酒石酸根和亚硝酸根。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述导电结构包括线接合件，所述线接合件包括导电接合材料和从该导电接合材料延伸的导线，所述导电接合材料被附接到所述电子装置的接合盘。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述接合盘和所述导电接合材料之间形成有包括铜和铝的金属间化合物层。

8.一种封装的电子装置，包括：

电子装置，包括具有含铝的上表面的接合盘；

线接合件，其包括铜球接合件，该铜球接合件被附接到所述接合盘，从而在所述接合盘和线接合件之间具有铜和铝的金属间化合物层，该线接合件包括导线；

包封剂，其包封所述线接合件，其中，所述包封剂包括氯化物和腐蚀阻抑剂，腐蚀阻抑剂为带负电荷的离子，在所述包封剂中，所述带负电荷的离子的数量至少为百万分之150，所述带负电荷的离子包括下列中的至少一个：醋酸根、甲酸根、酒石酸根和亚硝酸根；

其中在所述包封剂中，所述带负电荷的离子的浓度至少为氯化物离子的浓度的五倍，以防止当所述铜球接合件和所述接合盘带正电荷时所述金属间化合物层被氯化物离子腐蚀。