[发明专利]具有腐蚀阻抑剂的包封剂

说明书

一种封装的电子装置包括电子装置（101）、导电结构（129）和包封剂（201）。所述包封剂具有氯化物（303）和带负电荷的腐蚀阻抑剂（307），用于防止导电结构的腐蚀。

技术领域

本发明涉及封装的电子装置。

背景技术

电子装置（诸如，半导体装置）可以用诸如模制化合物（mold compound）的包封剂包封。这种封装的电子装置的一个问题是，在存在湿气的情况下包封剂中的诸如氯化物离子的腐蚀性物质会侵蚀容易受腐蚀的某些金属。减少腐蚀的一种方法是减少包封剂中的腐蚀性物质的量，例如，减少氯化物的量。

发明内容

根据本公开一个方面，提供一种封装的电子装置，包括：电子装置；导电结构；包封该导电结构的包封剂，其中，所述包封剂包括氯化物和带负电荷的腐蚀阻抑剂。

根据本发明另一方面，提供一种制造封装的电子装置的方法，包括：提供电子装置和与该电子装置电耦接的导电结构；对所述导电结构施加包封剂，其中，所述包封剂包括氯化物和带负电荷的腐蚀阻抑剂。

根据本发明另一方面，提供一种封装的电子装置，包括：电子装置，包括具有含铝的上表面的接合盘；线接合件，其包括铜球接合件，该铜球接合件被附接到所述接合盘，从而在所述接合盘和线接合件之间具有铜和铝的金属间化合物层，该线接合件包括导线；包封剂，其包封所述线接合件，其中，所述包封剂包括氯化物和带负电荷的腐蚀阻抑剂。

附图说明

通过参考附图，可以更好地理解本发明，并且，本发明许多的目的、特征和优点对于本领域的技术人员来说是明显的。

图1和2示出根据本发明一个实施例的封装的电子装置在其制造的各个阶段中的局部切除的侧视图。

图3示出根据本发明一个实施例的图2的封装的电子装置的一部分。

图4示出根据本发明的两个实施例的腐蚀阻抑剂离子的模型。

除非另有说明，在不同的附图中使用相同的附图标记表示相同的项目。这些图并不必然按比例绘制。

具体实施方式

下面阐述实施本发明的方式的详细描述。本描述旨在说明本发明，并且不应当被视为是限制性的。

已经发现，在用于封装的电子装置的包封剂中包含带负电荷的腐蚀阻抑剂可以抑制电子装置的线接合盘中的腐蚀。在一个例子中，带负电荷的腐蚀阻抑剂被吸引到电子装置的带正电荷的结构，其中，被吸引的腐蚀阻抑剂防止其它腐蚀性物质腐蚀带正电荷的结构的敏感表面。

图1是电子装置的局部切除的截面，其中，导线被线接合到导电接合盘。在图1的实施例中，电子装置是集成电路101，该集成电路101包括在半导体材料（例如，半导体衬底103）中实现的多个晶体管（例如，105）和/或其它类型的半导体装置（例如，二极管（未示出））。在一个例子中，晶体管105是在硅衬底103中实现的CMOS晶体管。但是，在其它实施例中，集成电路可以包括其它类型的半导体装置并且/或者具有其它配置。

在示出的实施例中，集成电路101的半导体装置通过位于一个或多个互连层（107、111和113）中的导电互连结构而被电耦接在一起。互连层的导电互连结构（例如，109、117和121）通过导电通孔（via）（例如，115、119）或导电插头而被耦接到其它互连层的其它导电互连结构。导电互连结构和通孔由导电材料（例如，铜、金、铝、钛）制成。导电互连结构可以包括扩散层和阻挡层。导电结构位于层间电介质材料120（例如，通过TEOS处理工艺形成的氧化物或者其它类型的电介质材料）中以将导电结构隔离。在一个实施例中，导电互连层和电介质材料从页面的底部到页面的顶部以层的形式被顺序地形成在衬底103之上。