[发明专利]LED自对准粗化制程方法无效
| 申请号： | 201310035120.0 | 申请日： | 2013-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103094428A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 卢昶鸣;何善良 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230011 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 对准 粗化制程 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种LED自对准粗化制程方法，其特征在于，包括步骤如下：
（1）首先完成黄光和蒸镀制程，将 LED 电极完成；
（2）透过氧电浆进行光刻胶灰化蚀刻，将曝光显影区域线宽变大；
（3）进行自对准粗化用的保护层蒸镀，使用低温镀膜技术进行薄膜制程蒸镀 ，作为后续粗化制程用的保护层；
（4）完成保护层镀膜后，进行金属和保护层的剥离和去胶；
（5）进行粗化制程，后续将保护层用氟化铵混合溶液进行蚀刻去除。
2.根据权利要求1所述的LED自对准粗化制程方法，其特征在于，所述步骤（3）中低温镀膜技术包括低温电浆辅助化学气相沉积或电子枪蒸镀或溅镀。
3.根据权利要求1所述的LED自对准粗化制程方法，其特征在于，所述步骤（3）中可镀单层或多层组合的氧化珪薄膜，或氮化珪薄膜，或氮氧化珪薄膜。
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