[发明专利]LED自对准粗化制程方法

说明书

 

技术领域

    本发明涉及半导体制作领域，更具体的说，涉及一种LED表面粗化制成的工艺方法。

 

背景技术

随着半导体科技的进步，现今的 LED 已具备了高亮度的输出，加上 LED 具有省电、体积小、低电压驱动以及不含汞等优点，因此 LED 已广泛地应用在显示器与照明等领域。

不过由于 LED 材料，其折射系数大，因此全反射角度大，而光取出角度小，所以导致光取出效率不佳。为了增加光取出效率，LED 厂家纷纷发展表面粗化制程工艺。透过表面粗化，让光更容易从 LED 材料内部逃逸，而增加光的取出效率。然而为了进行表面粗化制程，必须增加一道黄光制程，如图1所示的制成流程图。除了浪费生产成本，亦会因黄光曝光精准度和有机物残留，造成良率的损失。    

发明内容

本发明为解决上述技术问题，提供一种LED自对准粗化制程方法，不仅能够降低制作成本，而且可以提升产品良率。

    为达到上述目的，本发明采用的技术方案如下：

   一种LED自对准粗化制程方法，包括步骤如下：

 （1）首先完成黄光和蒸镀制程，将 LED 电极完成；

 （2）透过氧电浆进行光刻胶灰化蚀刻，将曝光显影区域线宽变大；

 （3）进行自对准粗化用的保护层蒸镀，使用低温镀膜技术进行薄膜制程，作为后续粗化制程用的保护层；  

（4）完成保护层镀膜后，进行金属和保护层的剥离和去胶；

（5）进行粗化制程，后续将保护层用氟化铵混合溶液进行蚀刻去除。

所述步骤（3）中低温镀膜技术包括低温 PECVD (电浆辅助化学气相沉积) 或 E-gun(电子枪蒸镀) 或 Sputter(溅镀)。

所述步骤（3）中可镀单层或多层组合的 SiOx(氧化珪薄膜) ，或 SiNx(氮化珪薄膜) ，或 SiOxNy Film(氮氧化珪薄膜)。

本发明技术方案，透过氧电浆进行光刻胶灰化蚀刻和低温镀膜技术，将电极进行保护，而实践自对准粗化制程。不仅可以少一道黄光制程，从而降低制作成本，又可避免因黄光曝光精准度和有机物残留，造成良率的损失，提升产品良率。

 

附图说明

图1是现有LED表面粗化制程流程图；

图2是本发明LED表面粗化制成流程图。

           

具体实施方式

以下通过附图和具体实施例对本发明所提供的设计方法做一详细的描述：

   如图2所示，本发明所提供的LED自对准粗化制程方法，其步骤如下：

 （1）首先完成黄光和蒸镀制程，将 LED 电极完成；

 （2）透过氧电浆（ O₂ plasma）进行光刻胶灰化蚀刻（PR ash），将曝光显影区域（ ADI）线宽变大；

 （3）进行自对准粗化用的保护层蒸镀，使用低温镀膜技术进行薄膜制程（ film deposition ），作为后续粗化制程用的保护层；

  （4）完成保护层镀膜后，进行金属和保护层的剥离（Lift off ）和去胶；

  （5）进行粗化制程，后续将保护层用氟化铵混合溶液（ BoE）进行蚀刻去除。

上述步骤（3）中的低温镀膜技术包括低温 PECVD (电浆辅助化学气相沉积) 或 E-gun(电子枪蒸镀) 或 Sputter(溅镀)。并可镀单层或多层组合的 SiOx(氧化珪薄膜) ，或 SiNx(氮化珪薄膜) ，或 SiOxNy Film(氮氧化珪薄膜)。

上述具体实施方式只是用于说明本发明，并不能用来限定本发明的保护范围。对于在本发明技术方案的思想指导下的变形和转换，都应该归于本发明保护范围以内。