[发明专利]像素电极上钝化层的制作方法、液晶显示器及其制作方法无效
| 申请号： | 201310035128.7 | 申请日： | 2013-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN103117249A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 阮文中;陈建荣;任思雨;于春崎;胡君文;何基强 | 申请（专利权）人： | 信利半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L21/31;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 516600 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 像素 电极 钝化 制作方法 液晶显示器 及其 | ||
【权利要求书】：
1.一种像素电极上钝化层的制作方法，其特征在于，包括：
在第一功率下，利用第一流量的工艺气体，在像素电极表面形成第一厚度的钝化层；
在第二功率下，利用第二流量的工艺气体，在所述第一厚度的钝化层表面形成第二厚度的钝化层；
其中，所述第一功率小于第二功率；所述第一流量小于第二流量；所述第一厚度小于第二厚度。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，第一功率为第二功率的50%。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，第一流量为第二流量的20%-40%，包括端点值。
4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第一厚度为第二厚度的10%-15%，包括端点值。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述第一厚度的范围为包括端点值。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述钝化层为氮化硅层。
7.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述钝化层制作过程中的工艺气体包括SiH4和NH3。
8.一种液晶显示器的制作方法，其特征在于，包括：
采用权利要求1-7任一项所述的制作方法，在像素电极表面依次形成第一厚度的钝化层和第二厚度的钝化层；
在所述钝化层内形成过孔，所述过孔完全贯穿所述第一厚度的钝化层和第二厚度的钝化层；
在具有过孔的钝化层表面形成顶层电极。
9.一种采用权利要求8所述制作方法制作的液晶显示器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
