[发明专利]像素电极上钝化层的制作方法、液晶显示器及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示器制造技术领域，尤其涉及一种像素电极上钝化层的制作方法、液晶显示器及其制作方法。

背景技术

如图1-图3所示，TFT产品的制作过程中，在像素ITO薄膜01完成之后，需要先利用化学气相沉积设备，在所述像素ITO薄膜01表面形成钝化层02；再利用干法刻蚀在所述钝化层02内形成过孔03；最后在所述钝化层02表面形成顶层ITO04；其中，所述顶层ITO04与所述像素ITO薄膜01电连接。

但是，传统TFT产品的制作工艺里，在形成过孔03的过程中，会在所述钝化层02的内的过孔03处形成底切，又称逆角或倒角，造成顶层ITO04与像素ITO薄膜01之间接触跨断，导致该TFT产品显示异常或无法显示，降低TFT产品的良率。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种液晶显示器及其像素电极上钝化层的制作方法，以解决由于顶层ITO与像素ITO薄膜之间接触跨断，导致该TFT产品显示异常或无法显示的问题，提高TFT产品的良率。

为解决上述问题，本发明实施例提供了如下技术方案：

一种像素电极上钝化层的制作方法，包括：在第一功率下，利用第一流量的工艺气体，在像素电极表面形成第一厚度的钝化层；在第二功率下，利用第二流量的工艺气体，在所述第一厚度的钝化层表面形成第二厚度的钝化层；其中，所述第一功率小于第二功率；所述第一流量小于第二流量；所述第一厚度小于第二厚度。

优选的，第一功率为第二功率的50%。

优选的，第一流量为第二流量的20%-40%，包括端点值。

优选的，所述第一厚度为第二厚度的10%-15%，包括端点值。

优选的，所述第一厚度的范围为包括端点值。

优选的，所述钝化层为氮化硅层。

优选的，所述钝化层制作过程中的工艺气体包括SiH₄和NH₃。

一种液晶显示器的制作方法，包括：采用上述任一项制作方法，在像素电极表面依次形成第一厚度的钝化层和第二厚度的钝化层；在所述钝化层内形成过孔，所述过孔完全贯穿所述第一厚度的钝化层和第二厚度的钝化层；在具有过孔的钝化层表面形成顶层电极。

一种上述制作方法制作的液晶显示器。

与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点：

本发明实施例所提供的技术方案，采用先在第一功率下，利用第一流量的工艺气体，在像素电极表面形成第一厚度的钝化层；再在第二功率下，利用第二流量的工艺气体，在所述第一厚度的钝化层表面形成第二厚度的钝化层的方法，来完成像素电极表面钝化层的制作，其中，所述第一功率小于第二功率；所述第一流量小于第二流量；所述第一厚度小于第二厚度。

由于第一厚度的钝化层制作过程中的功率和气体流量较小，其H+自由基的浓度较低，对像素电极中氧的俘获能力较弱，从而使得所述第一厚度的钝化层的制作过程中H+的损失减少，制作的钝化层较为致密，且第一厚度的钝化层阻断了后续第二厚度的钝化层制作过程中H+自由基与像素电极的接触，⁺使得第二厚度的钝化层制作过程中H+不会损失，形成的第二厚度的钝化层也较为致密，进而使得在所述钝化层内形成过孔的过程中，不会出现底切，保证了位于所述钝化层表面的顶层电极与像素电极之间的良好电接触，解决了由于顶层ITO与像素ITO薄膜之间接触跨断，导致该TFT产品显示异常或无法显示的问题，提高TFT产品的良率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1-3为现有技术中TFT产品制作工艺里，像素电极上钝化层的制作方法的剖面结构示意图；

图4-6为本发明实施例所提供的液晶显示器的制作方法的剖面结构示意图。

具体实施方式

正如背景技术部分所述，如图3所示，传统TFT产品的制作工艺里，在形成过孔03的过程中，会在所述钝化层02内的过孔03处形成底切，造成顶层ITO04与像素ITO薄膜01之间接触跨断，导致TFT产品显示异常或无法显示，降低TFT产品的良率。