[发明专利]制造FINFET器件的方法

权利要求书

1.一种用于制造鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的方法，所述方法包括：

提供半导体衬底；

蚀刻所述半导体衬底以形成包括伪鳍和有源鳍的鳍结构；

在所述半导体衬底上形成图案化光刻胶层以限定第一组伪鳍和第二组伪鳍，其中，所述图案化光刻胶层暴露所述第一组伪鳍；

通过所述图案化光刻胶层蚀刻所述第一组伪鳍；以及

在蚀刻所述第一组伪鳍之后，在所述半导体衬底上形成浅沟槽隔离件(STI)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述有源鳍设置在所述伪鳍之间。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述蚀刻期间部分去除所述第一组伪鳍。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述蚀刻期间完全去除所述第一组伪鳍。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，通过蚀刻所述第一组伪鳍在所述有源鳍和所述第二组伪鳍之间形成开放空间。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，通过蚀刻所述第一组伪鳍在所述有源鳍之间形成开放空间。

7.一种用于制造鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法，所述方法包括：

接收FinFET前体，所述FinFET前体包括：

半导体衬底；

伪鳍和有源鳍，形成在所述半导体衬底上；和

浅沟槽隔离(STI)区，形成在所述半导体衬底上并且设置在所述伪鳍和所述有源鳍中的任两个鳍之间；

形成图案化光刻胶层以限定第一组伪鳍和第二组伪鳍；以及

通过所述图案化光刻胶层蚀刻所述第一组伪鳍。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，在形成所述伪鳍和所述有源鳍之后，形成所述STI区域。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述有源鳍设置在所述伪鳍之间。

10.一种用于制造鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的方法，所述方法包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成伪鳍和有源鳍，其中，所述有源鳍设置在所述伪鳍之间；

在所述伪鳍和所述有源鳍上形成图案化光刻胶层以暴露所述伪鳍的一部分；

蚀刻所述伪鳍的暴露部分以在所述有源鳍和所述伪鳍的剩余部分之间形成开放空间；以及

在形成所述开放空间之后形成浅沟槽隔离件(STI)。