[发明专利]连接叠层结构的导电层的中间连接件的形成方法

权利要求书

1.一种方法，使用于一电子装置，该电子装置包括一叠层结构，该叠层结构包括多个导电层，该多个导电层与多个介电层交错排列，该方法用以形成多个中间连接件，该多个中间连接件延伸至对应的该多个导电层的一部分，该方法包括：

移除于该叠层结构中部分的该多个导电层及该多个介电层，以形成多个着陆区域，该多个着陆区域没有迭加该叠层结构的该多个导电层，其中W为该多个导电层的数量，移除的步骤包括：

使用一组M个刻蚀掩模刻蚀该多个介电层/导电层的该叠层结构，以暴露该多个着陆区域于W-1个导电层，该多个刻蚀掩模具有多个掩模区域及间隔的多个开口刻蚀区域，M大于或等于2，N^M少于或等于W，N为大于或等于3的整数；

在该组刻蚀掩模中的各该刻蚀掩模m，其中m从0到M-1：

(a)形成该刻蚀掩模m位于一接触区域之上，该刻蚀掩模具有该多个开口刻蚀区域，该多个开口刻蚀区域位于部份该多个着陆区域之上；

(b)于该刻蚀掩模m的该多个开口刻蚀区域中刻蚀N^m个导电层；

(c)削减该刻蚀掩模m，以增加该多个开口刻蚀区域的尺寸，该多个开口刻蚀区域迭加多个额外的接触开口；

(d)于已增加尺寸的该多个开口刻蚀区域，刻蚀N^m个该多个导电层；以及

(g)若N大于3，重复N-3次削减步骤(c)及刻蚀步骤(d)；

藉此，以不同刻蚀掩模的组合暴露出该多个导电层上的该多个着陆区域。

2.根据权利要求1所述的方法，更包括：

设置一介质填充物于该多个着陆区域之上；

向下形成该多个接触开口至该多个着陆区域，该多个接触开口贯穿该介质填充物；以及

以一导电材料填充该多个接触开口，以形成该多个中间连接件。

3.根据权利要求1所述的方法，更包括选择N，N等于2加上各个刻蚀掩模的削减刻蚀掩模的步骤的次数。

4.根据权利要求1所述的方法，其中各该刻蚀掩模0具有一0掩模宽度，该0掩模宽度具有一开口刻蚀区域，该开口刻蚀区域具有一开口区域宽度，该开口区域宽度等于该0掩模宽度除以N。

5.根据权利要求1所述的方法，其中各该刻蚀掩模具有一掩模宽度，该掩模宽度具有一开口刻蚀区域，该开口刻蚀区域具有一开口区域宽度，该开口区域宽度等于该掩模宽度除以N。

6.根据权利要求1所述的方法，其中于形成该刻蚀掩模的步骤(a)中，该刻蚀掩模覆盖N^m+1个该多个着陆区域，且该开口刻蚀区域覆盖N^m个该多个着陆区域。

7.根据权利要求1所述的方法，其中于形成该刻蚀掩模的步骤(a)中，该开口刻蚀区域在N^m个该多个着陆区域之上。

8.根据权利要求1所述的方法，其中W＝27且N＝3以至于：

m＝1时；

刻蚀的步骤(b)是刻蚀1层导电层；及

刻蚀的步骤(d)是刻蚀1层导电层；

m＝2时：

刻蚀的步骤(b)是刻蚀3层导电层；及

刻蚀的步骤(d)是刻蚀3层导电层；

m＝3时：

刻蚀的步骤(b)是刻蚀9层导电层；及

刻蚀的步骤(d)是刻蚀9层导电层。

9.根据权利要求1所述的方法，其中削减的步骤使得已增大尺寸的开口刻蚀区域覆盖额外1/N个该多个着陆区域。

10.根据权利要求1所述的方法，其中该装置包括该叠层结构的一表面，且该方法更包括在移除的步骤的执行过程中，遮蔽该表面的一部份，以产生没有接触开口的多个虚拟区域。