[发明专利]沟槽隔离结构的形成方法

权利要求书

1.一种沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上形成有沟槽，所述衬底位于反应腔内；

在所述沟槽的侧壁和底部形成第一氧化硅薄膜层；

在反应腔内通入含硅气体，所述第一氧化硅薄膜层表面吸附含硅气体；

在所述反应腔内通入含氧气体，所述含氧气体与所述第一氧化硅薄膜层表面吸附的含硅气体反应生成第二氧化硅薄膜层；或者，在所述反应腔内通入含氧气体，使所述含氧气体激发形成第一含氧等离子体，所述第一含氧等离子体与所述第一氧化硅薄膜层表面吸附的含硅气体反应生成第二氧化硅薄膜层；

重复所述通入含硅气体、含氧气体、生成第二氧化硅薄膜层的步骤，直至所述沟槽被完全填充。

2.如权利要求1所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，使用TEOS与O₃或O₂反应形成所述第一氧化硅薄膜层。

3.如权利要求1所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一氧化硅薄膜层后，通入含硅气体之前，在所述反应腔内通入第二含氧等离子体以去除所述第一氧化硅薄膜层表面的杂质。

4.如权利要求1所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，在至少一次形成所述第二氧化硅薄膜层后，在所述反应腔内通入第二含氧等离子体以去除所述第二氧化硅薄膜层表面的杂质。

5.如权利要求1所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一氧化硅薄膜层后，通入含硅气体之前，在所述反应腔内通入惰性等离子体轰击所述第一氧化硅薄膜层。

6.如权利要求1所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，在至少一次形成所述第二氧化硅薄膜层后，在所述反应腔内通入惰性等离子体轰击所述第二氧化硅薄膜层。

7.如权利要求1所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述含硅气体为SiH₄或TEOS。

8.如权利要求1所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述含氧气体为O₂或O₃。

9.如权利要求3或4所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述第二含氧等离子体为O₂等离子体。

10.如权利要求1所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，激发所述含氧气体为第一含氧等离子体的功率为100-2000W。

11.如权利要求1所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述含氧气体的流速为100-3000sccm。

12.如权利要求1所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述含氧气体的压强为0.1-100mtorr。

13.如权利要求3或4所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述第二含氧等离子体中混入稀释气体。

14.如权利要求13所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述稀释气体为He或Ar。

15.如权利要求5或6所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述惰性等离子体为Ar或He等离子体。

16.如权利要求5或6所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，形成所述惰性等离子体的功率为100-2000W。

17.如权利要求5或6所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述惰性等离子体的流速为100-3000sccm。

18.如权利要求5或6所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述惰性等离子体的压强为0.1-100mtorr。

19.如权利要求1所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，在形成所述第一氧化硅薄膜层之前，在所述沟槽侧壁和底部形成氧化层衬垫。