[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法无效
申请号: | 201310038856.3 | 申请日: | 2013-01-31 |
公开(公告)号: | CN103972403A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 周明杰;王平;黄辉;张振华 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 生启;何平 |
地址: | 518100 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种有机电致发光器件,其特征在于,包括依次层叠的阳极、空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、电荷产生层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、电子注入层和阴极,所述电荷产生层包括层叠于所述第一电子传输层表面的第一金属掺杂层、形成于所述第一金属掺杂层表面的第二金属掺杂层及形成于所述第二金属掺杂层表面的双极性金属氧化物层,所述第一金属掺杂层的材料包括金属氧化物及掺杂在所述金属氧化物中的铯盐,所述金属氧化物选自五氧化二钽、五氧化二铌或二氧化钒中的至少一种,所述铯盐选自碳酸铯、氯化铯、氟化铯或叠氮铯中的至少一种,其中,所述铯盐与所述金属氧化物的质量比为1:20~2:5,所述第二金属掺杂层的材料包括低功能函数金属及掺杂在所述低功能函数金属中的高功能函数金属,其中所述低功能函数金属为功能函数在-2.0eV~-4.0eV的金属,所述高功能函数金属为功能函数在-4.0eV~-6.0eV的金属,其中,所述低功能函数金属与所述高功能函数金属的质量比为1:9~3:7,所述双极性金属氧化物的材料选自三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第一金属掺杂层的厚度为5nm~20nm,所述第二金属掺杂层的厚度为2nm~20nm,所述双极性金属氧化物层的厚度为0.5nm~5nm。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述低功能函数金属的材料选自钙、镱、镁或钡中的至少一种,所述高功能函数金属的材料选自银、铝、铂或金中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第一发光层及所述第二发光层的材料选自4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯及8-羟基喹啉铝中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第一空穴传输层及所述第二空穴传输层的材料选自1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺及N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第一电子传输层及所述第二电子传输层的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择