[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光器件的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。然而，目前有机电致发光器件的发光效率较低。

发明内容

基于此，有必要提供一种发光效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、电荷产生层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、电子注入层和阴极，所述电荷产生层包括层叠于所述第一电子传输层表面的第一金属掺杂层、形成于所述第一金属掺杂层表面的第二金属掺杂层及形成于所述第二金属掺杂层表面的双极性金属氧化物层，所述第一金属掺杂层的材料包括金属氧化物及掺杂在所述金属氧化物中的铯盐，所述金属氧化物选自五氧化二钽、五氧化二铌或二氧化钒中的至少一种，所述铯盐选自碳酸铯、氯化铯、氟化铯或叠氮铯中的至少一种，其中，所述铯盐与所述金属氧化物的质量比为1:20～2:5，所述第二金属掺杂层的材料包括低功能函数金属及掺杂在所述低功能函数金属中的高功能函数金属，其中所述低功能函数金属为功能函数在-2.0eV~-4.0eV的金属，所述高功能函数金属为功能函数在-4.0eV~-6.0eV的金属，其中，所述低功能函数金属与所述高功能函数金属的质量比为1:9～3:7，所述双极性金属氧化物的材料选自三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述低功函数金属层的厚度为1nm~20nm，所述金属氧化物掺杂层的厚度为10nm~30nm，所述高功函数金属层的厚度为1nm~20nm。

在其中一个实施例中，所述低功能函数金属的材料选自钙、镱、镁或钡中的至少一种，所述高功能函数金属的材料选自银、铝、铂或金中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述第一发光层及所述第二发光层的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯及8-羟基喹啉铝中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述第一空穴传输层及所述第二空穴传输层的材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述第一电子传输层及所述第二电子传输层的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一种。

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

在阳极表面依次蒸镀制备空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层及第一电子传输层；

在所述第一电子传输层表面蒸镀制备第一金属掺杂层，所述第一金属掺杂层的材料包括金属氧化物及掺杂在所述金属氧化物中的铯盐，所述金属氧化物选自五氧化二钽、五氧化二铌或二氧化钒中的至少一种，所述铯盐选自碳酸铯、氯化铯、氟化铯或叠氮铯中的至少一种，其中，所述铯盐与所述金属氧化物的质量比为1:20～2:5，蒸镀在真空压力为5×10^-3~2×10^-4Pa下进行，所述金属氧化物及所述铯盐分别在两个蒸发舟中进行蒸发，所述金属氧化物的蒸镀速率为1nm/s~10nm/s，所述铯盐的蒸镀速率为1nm/s~10nm/s；

在所述第一金属掺杂层表面蒸镀制备第二金属掺杂层，所述第二金属掺杂层的材料包括低功能函数金属及掺杂在所述低功能函数金属中的高功能函数金属，其中所述低功能函数金属为功能函数在-2.0eV~-4.0eV的金属，所述高功能函数金属为功能函数在-4.0eV~-6.0eV的金属，其中，所述低功能函数金属与所述高功能函数金属的质量比为1:9～3:7，蒸镀在真空压力为5×10^-3~2×10^-4Pa下进行，所述低功能函数金属及所述高功能函数金属分别在两个蒸发舟中进行蒸发，所述低功能函数金属的蒸镀速率为1nm/s~10nm/s，所述高功能函数金属的蒸镀速率为1nm/s~10nm/s；