[发明专利]双MOS结构的光电探测器

权利要求书

1.一种双MOS结构的光电探测器，其特征在于自上而下依次包括透明导体氧化物层（1），上二氧化硅层（2），硅本征层（3），下二氧化硅层（4）和金属层（5），该硅本征层（3）的上表面两端是掺杂浓度为1×10¹⁹~7×10¹⁹cm^-3的P型重掺杂区，下表面的两端是掺杂浓度为1×10¹⁹~7×10¹⁹cm^-3的N型重掺杂区。P型重掺杂区的上表面淀积金属，形成欧姆接触，引出电极；N型重掺杂区的下表面淀积金属，形成欧姆接触，引出电极；

所述的透明导体氧化物层（1）、上二氧化硅层（2）、硅本征层（3）和P型重掺杂区组成PMOS结构；

所述的金属层（5）、下二氧化硅层（4）、硅本征层（3）和N型重掺杂区组成NMOS结构。

2.根据权利要求1所述的双MOS结构的光电探测器，其特征在于：

所述的透明导体氧化物层（1）是镀在上二氧化硅层（2）上表面的一层膜，上二氧化硅层（2）的厚度为1~2μm。

3.根据权利要求1所述的双MOS结构的光电探测器，其特征在于：所述硅本征层（3）的厚度为20~30μm。

4.根据权利要求1所述的双MOS结构的光电探测器，其特征在于：所述下二氧化硅层（4）的厚度为1~2μm。

5.根据权利要求1所述的双MOS结构的光电探测器，其特征在于：所述金属层（5）是镀在所述下二氧化硅层（4）下表面的一层膜。