[发明专利]半导体存储器设备及其操作方法有效
申请号: | 201310041411.0 | 申请日: | 2013-02-01 |
公开(公告)号: | CN103680614B | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 李炯珉 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06;G11C29/12 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 许伟群;郭放 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储器 设备 及其 操作方法 | ||
1.一种半导体存储器设备,包括:
存储单元块,其被配置成具有存储单元组;
外围电路,其被配置用于通过向所述存储单元组中的存储单元供给读取电压来读取数据;
故障检测电路,其被配置用于根据所述外围电路读取的数据而对所述存储单元组执行合格/故障检验操作;以及
控制电路,其被配置用于:在根据所述合格/故障检验操作判定出一个或多个存储单元组故障的情况下,控制所述外围电路和所述故障检测电路使用不同于所述读取电压的补偿读取电压而关于所述存储单元组再次执行读取操作,
其中,在再次执行读取操作之后,所述故障检测电路对所述存储单元组之中的被判定为故障的所述一个或多个存储单元组执行合格/故障检验操作。
2.如权利要求1所述的半导体存储器设备,其中所述外围电路包括:
电压供给电路,其被配置用于响应于从所述控制电路输出的电压供给电路控制信号生成所述读取电压或所述补偿读取电压;
X译码器,其被配置用于根据行地址将所述电压供给电路生成的所述读取电压或所述补偿读取电压供给所述存储单元块的所选字线;以及
页缓冲器电路,其被配置用于读取和存储所述存储单元组中所包括的存储单元的数据。
3.如权利要求2所述的半导体存储器设备,其中所述页缓冲器电路包括对应于所述存储单元组的页缓冲器组。
4.如权利要求3所述的半导体存储器设备,其中所述故障检测电路使用存储在各个页缓冲器组内的页缓冲器中的数据检测数据的故障位并对所检测到的故障位进行计数。
5.如权利要求4所述的半导体存储器设备,其中所述故障检测电路将所计数的故障位的数量与通过纠错电路可校正位的数量进行比较,并且根据比较结果输出合格/故障信号。
6.如权利要求5所述的半导体存储器设备,其中所述控制电路根据所述合格/故障信号控制外围电路检测所述存储单元组的合格/故障,使用低于所述读取电压的补偿读取电压再次读取被判定为故障的存储单元组中的数据,以及存储所读取的数据。
7.一种半导体存储器设备,包括:
存储单元块,其被配置成包括存储单元;
电压供给电路,其被配置用于在读取操作中向所述存储单元块的字线供给读取电压;
页缓冲器电路,其被配置成包括用于在执行所述读取操作时读取所述存储单元中的数据和存储所读取的数据的页缓冲器组;
故障检测电路,其被配置用于根据存储在所述页缓冲器组中的所述读取的数据而关于各个页缓冲器组执行合格/故障检验操作;以及
控制电路,其被配置用于:在根据所述合格/故障检验操作判定出存储在一个或多个页缓冲器组中的所述读取的数据故障的情况下,控制所述电压供给电路和所述页缓冲器电路使用低于所述读取电压的补偿读取电压而关于所述存储单元块再次执行读取操作,
其中,在再次执行读取操作之后,所述故障检测电路关于存储了被判定为故障的所述读取的数据的所述一个或多个页缓冲器组而执行合格/故障检验操作。
8.如权利要求7所述的半导体存储器设备,其中所述存储单元块包括所述页缓冲器组中的存储单元组。
9.如权利要求7所述的半导体存储器设备,其中所述故障检测电路使用存储在各个页缓冲器组内的页缓冲器中的所述读取的数据检测所述读取的数据的故障位,并对检测到的故障位进行计数。
10.如权利要求9所述的半导体存储器设备,其中所述故障检测电路将所计数的故障位的数量与通过纠错电路可校正位的数量进行比较,并且根据比较结果输出合格/故障信号。
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