[发明专利]半导体存储器设备及其操作方法

说明书

本发明公开了一种半导体存储器设备及其操作方法。所述半导体存储器设备包括：存储单元块，其被配置成具有存储单元组；外围电路，其被配置用于通过向所述存储单元组中的存储单元供给读取电压来读取数据；故障检测电路，其被配置用于根据所述外围电路读取的数据执行存储单元组的合格/故障检验操作；以及控制电路，其被配置用于在根据所述合格/故障检验操作判定出一个或多个存储单元组故障的情况下控制所述外围电路和所述故障检测电路使用不同于所述读取电压的补偿读取电压再次执行关于所述存储单元组的读取操作。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2012年8月29日提交的韩国专利申请10-2012-0095084的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明涉及一种半导体存储器设备及其操作方法，尤其涉及一种具有高读取速率的半导体存储器设备及其操作方法。

背景技术

最近，一种可编程且电可擦但无需更新功能的非易失性存储器设备已被广泛使用。因此，使非易失性存储器设备具有改进的可靠性和/或改进的读取速率是有利的。

发明内容

本发明的一些实施例可提供一种用于提高读取操作的可靠性和/或速率的半导体存储器设备及其操作方法。

根据本发明的一个实施例的半导体存储器设备包括：存储单元块，其被配置成具有存储单元组；外围电路，其被配置用于通过向所述存储单元组中的存储单元供给读取电压来读取数据；故障检测电路，其被配置用于根据所述外围电路读取的数据执行存储单元组的合格/故障检验操作；以及控制电路，其被配置用于在根据所述合格/故障检验操作判定出一个或多个存储单元组故障的情况下控制所述外围电路和所述故障检测电路使用不同于所述读取电压的补偿读取电压再次执行关于所述存储单元组的读取操作。

根据本发明的另一实施例的半导体存储器设备包括：存储单元块，其被配置成包括存储单元；电压供给电路，其被配置用于在读取操作中向所述存储单元块的字线供给读取电压；页缓冲器电路，其被配置用于包括用于在执行所述读取操作时读取所述存储单元中的数据和存储所述读取的数据的页缓冲器组；故障检测电路，其被配置用于根据存储在所述页缓冲器组中的所述读取的数据执行关于各个页缓冲器组的合格/故障检验操作；以及控制电路，其被配置用于在根据所述合格/故障检验操作判定出存储在一个或多个页缓冲器组中的所述读取的数据故障的情况下控制所述电压供给电路和所述页缓冲器电路使用低于所述读取电压的补偿读取电压再次执行关于所述存储单元块的读取操作。

根据本发明的一个实施例的操作半导体存储器设备的方法包括：使用读取电压执行读取操作；执行关于各个存储单元组的合格/故障检验操作；以及，在根据所述合格/故障检验操作判定出一个或多个存储单元组被判定为故障的情况下，使用低于所述读取电压的补偿读取电压再次执行所述读取操作。此处，在先前的合格/故障检验操作中被判定为合格的存储单元组在所述合格/故障检验操作中被判定为合格。

根据本发明的另一实施例的操作半导体存储器设备的方法包括：使用第一读取电压组读取包括存储单元组的存储单元块中的数据；执行关于各个存储单元组的合格/故障检验操作；以及，在根据所述合格/故障检验操作判定出一个或多个存储单元组故障的情况下，使用低于所述第一读取电压组的第二读取电压组再次读取包括被判定为故障的存储单元组的所述存储单元块中的数据，并再次执所述合格/故障检验操作。

本发明的半导体存储器设备可通过使用低于先前读取操作中所用的读取电压的补偿读取电压对故障的存储单元组重复读取操作来提高读取操作的可靠性，并且可通过跳过对合格的存储单元组重复读取操作的步骤来提高读取操作的速率。

附图说明

结合附图参照下文的详细描述，本发明的上述和其它特征和优点将变得更为清楚，在附图中：

图1为示出根据一些实施例的半导体存储器设备的框图；