[发明专利]一种超低温引发制备高分子量阴离子型聚丙烯酰胺的方法无效
申请号: | 201310042922.4 | 申请日: | 2013-02-04 |
公开(公告)号: | CN103087236A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 杨振宇 | 申请(专利权)人: | 东营顺通化工(集团)有限公司 |
主分类号: | C08F120/56 | 分类号: | C08F120/56;C08F4/40;C08F4/04;C08F2/10;C08F8/12 |
代理公司: | 山东济南齐鲁科技专利事务所有限公司 37108 | 代理人: | 宋永丽 |
地址: | 257091 *** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 超低温 引发 制备 分子量 阴离子 聚丙烯酰胺 方法 | ||
技术领域
本发明属于水溶性聚丙烯酰胺聚合物的化学合成方法,特别是涉及一种制备相对分子质量2500万以上的超高分子量阴离子型聚丙烯酰胺的方法。
背景技术
高分子量阴离子型聚丙烯酰胺工业生产已经比较成熟,但要使工业产品分子量稳定在2500万以上还比较困难。目前国内外阴离子聚丙烯酰胺得生产工艺主要分为前水解和后水解两种方法:前水解就是在丙烯酰胺水溶液中加入碳酸钠、碳酸氢钠或氢氧化钠等水解剂,通氮气除氧后加入引发剂等各种助剂进行水溶液聚合,聚合完成后加热水解,再经过造粒、干燥、粉碎、筛分而生产出聚丙烯酰胺的方法,如CN1168894中公开。该方法具有工艺简单,设备投资较少等优点。但无论使用何种引发体系,采用那种引发方式,前水解都很难得到高分子量聚丙烯酰胺,一般分子量小于1700万。后水解就是在丙烯酰胺水溶液中加入引发剂等各种助剂进行聚合,聚合老化一段时间后将胶体经造粒加入氢氧化钠等水解剂混合加热进行水解,之后再经过造粒、干燥、粉碎、筛分而生产出聚丙烯酰胺的方法。如CNl057059A中公开。该方法虽然可以生产出较高分子量阴离子型聚丙烯酰胺,分子量也很难超过2000万。
发明内容
本发明的目的在于避免上述技术的不足,而提供一种超低温引发制备高分子量阴离子型聚丙烯酰胺的方法。
本发明的目的是这样实现的:在丙烯酰胺水溶液中加入多元引发剂、各种助剂,并通入高纯氮气进行水溶液聚合。聚合老化一段时间后将胶体经造粒加入水解剂混合加热进行水解,之后再经过造粒、干燥、粉碎、筛分而生产出分子量超过2500万的阴离子聚丙烯酰胺。
本发明的目的还可以这样实现:
一种超低温引发制备高分子量阴离子型聚丙烯酰胺的方法,水解剂为固体氢氧化钠,加入量的重量百分比10—20%,加入量可按聚丙烯酞胺的水解度调整。多元引发剂由氧化剂、还原剂、多种水溶性偶氮类引发剂组成,氧化剂为过硫酸盐,如过硫酸钾、过硫酸钠、过硫酸铵,加入量为对丙烯酰胺单体溶液重量的0.0001—0.5%;还原剂为亚硫酸盐,如亚硫酸钠、亚硫酸铵、亚硫酸钾、亚硫酸氢钠、偏重亚硫酸钠、偏重亚硫酸钾,加入量为对丙烯酰胺单体溶液重量的0.0005—0.25%;水溶性偶氮类引发剂是2,2’-偶氮(2-脒基丙烷)二盐酸盐、2,2’-偶氮[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]二盐酸盐、2,2’-偶氮[2-甲基-N-(2-甲基丙烯酸)丙酰胺],加入量为对丙烯酰胺单体溶液重量的0.001—0.5%。三种偶氮引发剂的重量比为4:4:2。助剂尿素加入量为对丙烯酰胺单体溶液重量的0.10—0.50%,氨水加入量为对丙烯酰胺单体溶液重量的0.005—0.20%,乙二胺四乙酸二钠加入量为对丙烯酰胺单体溶液重量的0.005—0.05%。
本发明中的丙烯酰胺水溶液浓度控制在15—35%,引发温度为0—5℃,绝热聚合时间为1—5h。绝热聚合完成后老化1—3h,初步造粒后加入氢氧化钠固体混合均匀,加热升温至水解温度为85—105℃,水解时间为2—6h。,经过造粒、烘干、粉碎、筛分得到分子量大于2500万的阴离子型聚丙烯酰胺。
与现有技术相比,本发明的优点是:
1、采用氧化还原与多种偶氮引发剂配合的引发体系,聚合反应平稳,有利于链的增长,形成高分子量产品;
2、引发剂中使用多种偶氮引发剂按比例配合使用,克服了单一偶氮引发剂升温慢或升温速度不均匀的缺点,提高了引发体系的整体性能;
3、引发温度低,有利于产品分子量的提高。
具体实施方式
下面通过实施例进一步说明本发明的实施例。
实施例1
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东营顺通化工(集团)有限公司,未经东营顺通化工(集团)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310042922.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:多晶铸锭炉石墨坩埚组件
- 下一篇:一种石墨衬底上的氧化锌基MOS器件