[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示面板

权利要求书

1.一种氧化物TFT阵列基板，包括：基板，设置于所述基板上的氧化物TFT、栅线、数据线和像素电极，所述氧化物TFT的漏极和所述像素电极相连，其特征在于，

所述氧化物TFT的源极和数据线之间设置有导接结构，并通过所述导接结构相连，所述导接结构的电阻率大于所述源极金属的电阻率。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导接结构与所述像素电极采用相同的透明导电材料。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述氧化物TFT具体包括：

设置于所述基板上的所述栅线；

设置于所述栅线上的所述栅绝缘层；

设置于所述栅绝缘层上位于栅线上方的氧化物有源层；

设置于所述氧化物有源层上的刻蚀阻挡层；

设置于所述刻蚀阻挡层上的所述源极、漏极，所述源极和漏极分别与所述氧化物有源层接触；

其中，所述漏极与设置于像素区域的延伸至所述漏极的所述像素电极相连；

所述氧化物TFT阵列基板还包括：

设置于形成有所述像素电极的基板上的钝化层；

设置于所述钝化层上的位于像素区域的公共电极。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述氧化物有源层为铟镓锌氧化物。

5.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求1-4任一项所述的氧化物TFT阵列基板。

6.一种氧化物TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，该方法包括：

通过构图工艺，在源极和数据线之间设置导接结构，所述源极和数据线通过所述导接结构相连，所述导接结构的电阻率大于所述源极金属的电阻率。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述导接结构与所述像素电极采用相同的透明导电材料。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，该方法具体包括：

通过第一次构图工艺，在基板上形成包括栅线的图形；

通过第二次构图工艺，在经过第一次构图工艺的基板上形成包括栅绝缘层和氧化物有源层的图形，所述氧化物有源层的图形位于栅线上方；

通过第三次构图工艺，在经过第二次构图工艺的基板上形成包括刻蚀阻挡层的图形；

通过第四次构图工艺，在经过第三次构图工艺的基板上形成包括数据线、源极、漏极，以及所述源极和漏极断开的图形；

通过第五次构图工艺，在经过第四次构图工艺的基板上形成包括像素电极和在所述源极和漏极断开的图形上的导接结构的图形；

通过第六次构图工艺，在经过第五次构图工艺的基板上形成包括钝化层的图形；

通过第七次构图工艺，在经过第六次构图工艺的基板上形成包括公共电极的图形。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述氧化物有源层为铟镓锌氧化物。