[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法、显示面板。

背景技术

氧化物有源层，如铟镓锌氧化物IGZO(indium gallium zinc oxide)作为有源层，载流子迁移率是非晶硅的20-30倍，可以大大提高TFT对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，是用于新一代TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管液晶显示)技术中的沟道层材料。

因为TFT器件本身的漏电流导电机制主要是沟道热离子发射形成的空穴电流，TFT的漏电流会在光照的条件下剧增。为了减少氧化物有源层的光接触面积，氧化物TFT一般采用遮光型结构，如图1所示，栅线11位于氧化物有源层13、源极15和漏极16的下方，这样栅线11遮挡住了源极15和漏极16形成的沟道内的氧化物有源层，从而能够有效降低光照时电子空穴对产生的概率，大大降低光照产生的漏电流。

然而，这种遮光性结构的氧化物TFT器件，源极15、漏极16直接和氧化物有源层13直接接触，在氧化物有源层13的两侧，氧化物有源层13和源极15、漏极16之间没有PN结，这样氧化物有源层13的空穴流入到源极15和漏极16，或源极15和漏极16的电子流入到氧化物有源层13，这使得氧化物有源层13和源极15、漏极16之间的漏电流增加，造成显示面板画面闪烁、串扰和残像等现象。

发明内容

本发明的实施例提供一种氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示面板，能够减小氧化物TFT的漏电流，可以改善显示面板的画面闪烁、串扰和残像等现象，提高显示性能。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，本发明实施例提供了一种氧化物TFT阵列基板，包括：基板，设置于所述基板上的氧化物TFT、栅线、数据线和像素电极，所述氧化物TFT的漏极和所述像素电极相连，所述氧化物TFT的源极和数据线之间设置有导接结构，并通过所述导接结构相连，所述导接结构的电阻率大于所述源极金属的电阻率。

可选的，所述导接结构与所述像素电极采用相同的透明导电材料。

其中，所述氧化物TFT具体包括：

设置于所述基板上的所述栅线；

设置于所述栅线上的所述栅绝缘层；

设置于所述栅绝缘层上位于栅线上方的氧化物有源层；

设置于所述氧化物有源层上的刻蚀阻挡层；

设置于所述刻蚀阻挡层上的所述源极、漏极，所述源极和漏极分别与所述氧化物有源层接触；

其中，所述漏极与设置于像素区域的延伸至所述漏极的所述像素电极相连；

所述氧化物TFT阵列基板还包括：

设置于形成有所述像素电极的基板上的钝化层；

设置于所述钝化层上的位于像素区域的公共电极。

可选的，所述氧化物有源层为铟镓锌氧化物。

另一方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，所述显示面板包括上述实施例描述的氧化物TFT阵列基板。

再一方面，本发明实施例还提供了一种氧化物TFT阵列基板的制作方法，该方法包括：

通过构图工艺，在源极和数据线之间设置导接结构，所述源极和数据线通过所述导接结构相连，所述导接结构的电阻率大于所述源极金属的电阻率。

可选的，所述导接结构与所述像素电极采用相同的透明导电材料。

具体的，该方法具体包括：

通过第一次构图工艺，在基板上形成包括栅线的图形；

通过第二次构图工艺，在经过第一次构图工艺的基板上形成包括栅绝缘层和氧化物有源层的图形，所述氧化物有源层的图形位于栅线上方；

通过第三次构图工艺，在经过第二次构图工艺的基板上形成包括刻蚀阻挡层的图形；

通过第四次构图工艺，在经过第三次构图工艺的基板上形成包括数据线、源极、漏极，以及所述源极和漏极断开的图形；

通过第五次构图工艺，在经过第四次构图工艺的基板上形成包括像素电极和在所述源极和漏极断开的图形上的导接结构的图形；

通过第六次构图工艺，在经过第五次构图工艺的基板上形成包括钝化层的图形；

通过第七次构图工艺，在经过第六次构图工艺的基板上形成包括公共电极的图形。

可选的，所述氧化物有源层为铟镓锌氧化物。