[发明专利]一种晶圆针测方法及装置有效
申请号: | 201310045925.3 | 申请日: | 2013-02-05 |
公开(公告)号: | CN103972122A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 邱海亮;蔡新春 | 申请(专利权)人: | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100871 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆针测 方法 装置 | ||
1.一种晶圆针测方法,其特征在于,该方法包括:
根据第一参数规范和测试条件得到第一测试结果,所述第一测试结果包括用于指示不符合所述第一参数规范的晶粒位置的第一打点信息;
在所述第一参数规范改变为第二参数规范时,根据所述第二参数规范与所述第一测试结果的自动比对结果,自动生成用于指示不符合所述第二参数规范的晶粒位置的第二打点信息;
利用所述第二打点信息替代所述第一打点信息,形成第二测试结果。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,根据所述第二测试结果,进行后续的打点工艺步骤。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述第二参数规范与所述第一测试结果的自动比对结果,自动形成第二打点信息,具体包括:
利用所述第二参数规范中的每一项参数要求与所述第一测试结果中的每一晶粒对应项的参数结果进行逐一自动比对;
对不符合任意一项参数要求的晶粒的位置信息进行标记;
统计所有带有标记的位置信息,形成所述第二打点信息。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述第二参数规范与所述第一测试结果的自动比对结果,自动形成第二打点信息,具体包括:
将所述第二参数规范中的每一项参数要求与所述第一测试结果中的所述第一参数规范中的每一项对应原参数要求一一进行替换;
利用所述第二参数规范中的每一项参数要求与所述第一测试结果中的每一晶粒对应项的参数结果进行逐一自动比对;
根据比对结果,对所述第一打点信息自动进行修改,形成第二打点信息。
5.如权利要求1、2、3或4任一权项所述的方法,其特征在于,所述打点信息包括用于表示晶粒位置的位置信息和用于表示不符合参数规范原因的失效信息。
6.一种晶圆针测装置,其特征在于,该装置包括:
测试模块,用于根据第一参数规范和测试条件得到第一测试结果,所述第一测试结果包括用于指示不符合所述第一参数规范的晶粒位置的第一打点信息;
比对模块,用于在所述第一参数规范改变为第二参数规范时,根据所述第二参数规范与所述第一测试结果的自动比对结果,自动生成用于指示不符合所述第二参数规范的晶粒位置的第二打点信息;
修改模块,用于利用所述第二打点信息替代所述第一打点信息,形成第二测试结果。
7.如权利要求6所述的装置,其特征在于,该装置还包括打点模块,用于根据所述第二测试结果,进行后续的打点工艺步骤。
8.如权利要求6所述的装置,其特征在于,所述比对模块,具体用于:
利用所述第二参数规范中的每一项参数要求与所述第一测试结果中的每一晶粒对应项的参数结果进行逐一自动比对;
对不符合任意一项参数要求的晶粒的位置信息进行标记;
统计所有带有标记的位置信息,形成所述第二打点信息。
9.如权利要求6所述的装置,其特征在于,所述比对模块,具体用于:
将所述第二参数规范中的每一项参数要求与所述第一测试结果中的所述第一参数规范中的每一项对应原参数要求一一进行替换;
利用所述第二参数规范中的每一项参数要求与所述第一测试结果中的每一晶粒对应项的参数结果进行逐一自动比对;
根据比对结果,对所述第一打点信息自动进行修改,形成第二打点信息。
10.如权利要求6、7、8或9任一权项所述的装置,其特征在于,所述打点信息包括用于表示晶粒位置的位置信息和用于表示不符合参数规范原因的失效信息。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造