[发明专利]一种晶圆针测方法及装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体芯片制造工艺技术领域，具体涉及一种晶圆针测方法及装置。

背景技术

芯片在进行组装之前，需进行晶圆针测（Chip Probing，CP），晶圆针测是利用测试机台(Tester)，针测机（Prober）与探针卡(Probe Card)之间的搭配组合来测试芯片(Wafer)上每一个晶粒(Die)，旨在通过电性测试判别晶粒的产品功能是否达到要求，相关电性参数是否在规范之内，将不符合规范的晶粒尽早筛选出来，通过打点工艺打点打掉，从而避免芯片在封装时对失效的晶粒也进行了封装，避免了由于不良率的偏高因而增加后续制程所带来的制造成本。

在进行CP测试时，经常会遇到需要临时对参数规范进行更改情况，而在某项参数的规范发生更改时，需要对晶粒的功能是否失效重新进行判断，通常的作业手法是在测试机台中更改此项参数的产品规格后重新测试，重测之后生成新的测试数据以及测试文件，后续的在打点工艺中根据新生成的测试文件的指示进行打点动作。但是重新测试不仅会使晶粒表面因为重复扎针可能会造成损伤，还会增加由于测试时人员的操作不当﹑外在环境的变化﹑探针卡的状态不佳或者是针测机台间硬件及操作参数设置的不当，进而造成晶圆针测的过程中有针痕偏移或者是铜裸露等不正常情况发生，造成测试时的误宰的几率，也因此会造成良品率的下降、产品的流通速度降低以及高昂的测试成本。

发明内容

本发明实施例提供了一种晶圆针测方法及装置，用以在晶圆针测过程中，即使发生参数规范改变的情况，也不需要对已经测试过的晶粒进行重新测试。

本发明实施例提供的一种晶圆针测方法，该方法包括：

根据第一参数规范和测试条件得到第一测试结果，所述第一测试结果包括用于指示不符合所述第一参数规范的晶粒位置的第一打点信息；

在所述第一参数规范改变为第二参数规范时，根据所述第二参数规范与所述第一测试结果的自动比对结果，自动生成用于指示不符合所述第二参数规范的晶粒位置的第二打点信息；

利用所述第二打点信息替代所述第一打点信息，形成第二测试结果。

本发明实施例提供的一种晶圆针测装置，该装置包括：

测试模块，用于根据第一参数规范和测试条件得到第一测试结果，所述第一测试结果包括用于指示不符合所述第一参数规范的晶粒位置的第一打点信息；

比对模块，用于在所述第一参数规范改变为第二参数规范时，根据所述第二参数规范与所述第一测试结果的自动比对结果，自动生成用于指示不符合所述第二参数规范的晶粒位置的第二打点信息；

修改模块，用于利用所述第二打点信息替代所述第一打点信息，形成第二测试结果。

本发明实施例，在具有第一次测试结果的情况下，通过设置的比对模块可以在参数规范修改情况下，使用第一测试结果与修改后的参数规范进行自动比对，修改模块根据比对结果直接形成第二测试结果，不需要重复进行实际测试，从而避免了二次测试，芯片的良品率得到了提升、产品的流通速度加快以及降低了芯片的测试成本。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种晶圆针测方法的方法流程示意图；

图2为本发明实施例提供的一种晶圆针测装置的装置结构示意图。

具体实施方式

本发明实施例提供了一种晶圆针测方法及装置，用以在晶圆针测过程中，即使发生参数规范改变的情况，也不需要对已经测试过的晶粒进行重新测试。

首先，本发明实施例提供了一种晶圆针测方法，如图1所示，该方法包括：

S101，根据第一参数规范和测试条件得到第一测试结果，所述第一测试结果包括用于指示不符合所述第一参数规范的晶粒位置的第一打点信息；

S102，在所述第一参数规范改变为第二参数规范时，根据所述第二参数规范与所述第一测试结果的自动比对结果，自动生成用于指示不符合所述第二参数规范的晶粒位置的第二打点信息；

S103，利用所述第二打点信息替代所述第一打点信息，形成第二测试结果。

在本发明实施例中，在对晶粒进行完一次测试后，如果发生需要更改参数规范的情况，不需要重新对晶粒进行二次测试，只需要利用更改后的参数规范与第一次测试结果进行比对，重新生成一个最新的打点信息，替代原来的第一测试结果中的原打点信息，形成第二测试结果，避免了二次测试，芯片的良品率得到了提升、产品的流通速度加快以及降低了芯片的测试成本。

进一步地，根据所述第二测试结果，进行后续的打点工艺步骤。