[发明专利]高解析相机模块的结构及制造方法无效
申请号: | 201310046186.X | 申请日: | 2013-02-05 |
公开(公告)号: | CN103715210A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 黄俊龙;杜修文;吴承昌;杨崇佑;王荣昌;杨若薇 | 申请(专利权)人: | 胜开科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 解析 相机 模块 结构 制造 方法 | ||
1.一种高解析相机模块的制造方法,其特征在于其包括下列步骤:
提供影像感测晶圆,该影像感测晶圆包括多个影像感测芯片,每一该影像感测芯片包括第一表面,该第一表面具有感测区及多个导电接点,所述导电接点环绕设置于该感测区外围;
进行检测,其是检测每一该影像感测芯片并定义该影像感测芯片是否为优良芯片;
设置光学盖体,其是将该光学盖体设置于定义为该优良芯片的该影像感测芯片的该第一表面上,使该光学盖体正对该感测区且不覆盖所述导电接点,又该光学盖体的表面大小小于该影像感测芯片的表面大小;
分割该影像感测晶圆,以分别得到独立且覆盖有该光学盖体的该影像感测芯片;
设置该影像感测芯片于陶瓷基板,该陶瓷基板形成有中空部位,且具有底面及顶面,该中空部位的水平范围大于该光学盖体的表面大小,经分割的该影像感测芯片的该第一表面是粘着设置于该底面且正对该中空部位,又该影像感测芯片的所述导电接点与该陶瓷基板电性连接;以及
设置封装部,其是使该封装部包覆该影像感测芯片的周边及该影像感测芯片与该陶瓷基板相连处。
2.根据权利要求1所述的高解析相机模块的制造方法,其特征在于其中设置该光学盖体包括:提供粘着胶于该影像感测芯片子步骤,其是将该粘着胶涂覆于该第一表面上且位于该感测区与所述导电接点之间的区域;及设置该光学盖体于该影像感测芯片上子步骤,使该光学盖体借由该粘着胶固定于该影像感测芯片上。
3.根据权利要求2所述的高解析相机模块的制造方法,其特征在于其中该粘着胶进一步与球状支撑件混合。
4.根据权利要求2所述的高解析相机模块的制造方法,其特征在于其中该粘着胶是呈封闭式回路图样。
5.根据权利要求1所述的高解析相机模块的制造方法,其特征在于其中设置该光学盖体包括:结合拦坝于该光学盖体上子步骤,该拦坝为封闭式回路结构,且结合于该光学盖体的第三表面的周边,该第三表面是面向该影像感测芯片;及设置该光学盖体于该影像感测芯片上子步骤,其是借由粘着胶粘着该拦坝以使该光学盖体固定于该影像感测芯片上,其中该粘着胶预先涂覆于该第一表面上且位于该感测区与所述导电接点之间的区域,并呈封闭式回路图样。
6.根据权利要求5所述的高解析相机模块的制造方法,其特征在于其中该拦坝的上表面外侧形成框形凸缘,使该框形凸缘结合于该光学盖体的侧边,又该拦坝的内侧具有凹陷部,而该光学盖体与该框形凸缘之间形成缺口。
7.根据权利要求2所述的高解析相机模块的制造方法,其特征在于其中该粘着胶是呈C字形图样,该C字形图样具有缺口。
8.根据权利要求2所述的高解析相机模块的制造方法,其特征在于其中该粘着胶是呈二个L字形图样,且所述L字形图样是相对设置,以形成在对角上具有二个缺口的口字形图样。
9.根据权利要求6至8中任一权利要求所述的高解析相机模块的制造方法,其特征在于其进一步包括密封缺口步骤,其是以密封胶材密封该缺口。
10.根据权利要求5或6所述的高解析相机模块的制造方法,其特征在于其中该拦坝的材料为玻璃、陶瓷、液晶聚合物、模制化合物、硅氧烷基聚合物、感光性干膜或焊料遮罩。
11.一种高解析相机模块的结构,其特征在于其包括:
陶瓷基板,其形成有中空部位,且具有顶面及底面;
影像感测芯片,其包括第一表面,该第一表面具有感测区及多个导电接点,所述导电接点环绕设置于该感测区外围,且该第一表面设置于该底面,使该影像感测芯片借由所述导电接点与该陶瓷基板电性连接;
光学盖体,其是借由粘着胶设置于该第一表面上,该粘着胶位于该感测区及所述导电接点之间的区域,又该光学盖体小于该影像感测芯片并正对该感测区;以及
封装部,其是包覆该影像感测芯片的周边及该影像感测芯片与该陶瓷基板相连处。
12.根据权利要求11所述的高解析相机模块的结构,其特征在于其进一步包括多个被动元件,其设置于该顶面。
13.根据权利要求11所述的高解析相机模块的结构,其特征在于其中该粘着胶进一步与球状支撑件混合。
14.根据权利要求11所述的高解析相机模块的结构,其特征在于其中该粘着胶是呈封闭式回路图样。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的