[发明专利]半导体装置及其制法在审
申请号: | 201310046666.6 | 申请日: | 2013-02-05 |
公开(公告)号: | CN103928433A | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
发明(设计)人: | 林长甫;蔡和易;姚进财;洪静慧 | 申请(专利权)人: | 矽品精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L21/48;H01L21/60 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制法 | ||
1.一种半导体装置,包括:
基板,其具有基板本体与导电线路,该导电线路形成于该基板本体上,该导电线路并具有容置空间;
导电材,其形成于该容置空间内,并电性连接该导电线路;以及
半导体组件,其设置于该基板上,并具有电性连接垫与导电体,该导电体形成于该电性连接垫上并电性连接该导电材。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,该容置空间为断开该导电线路的凹口,且该凹口外露出该基板本体的表面。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,该容置空间为未断开该导电线路的凹口,且该凹口的中间部分外露出该基板本体的表面。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,该导电材为焊料。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,该导电体的部分埋入该导电材中。
6.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,该导电体为导电柱或导电凸块。
7.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,该导电线路包括相邻的第一导电线路或第二导电线路,该第一导电线路与该第二导电线路分别具有相邻的第一容置空间及第二容置空间,且该导电材形成于该第一容置空间及第二容置空间内。
8.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,该基板还具有防焊层,其形成于该导电线路上,并具有对应外露出该容置空间的开孔。
9.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,该半导体装置还包括底胶,其形成于该基板与该半导体组件之间,以包覆该导电线路、导电材与导电体。
10.一种半导体装置的制法,其包括:
提供一具有基板本体与导电线路的基板,该导电线路形成于该基板本体上,该导电线路并具有容置空间;
形成导电材于该容置空间内,并电性连接该导电线路;
提供一具有电性连接垫与导电体的半导体组件,该导电体形成于该电性连接垫上;以及
通过该导电体将该半导体组件接置于该基板的导电材上。
11.根据权利要求10所述的半导体装置的制法,其特征在于,该容置空间为断开该导电线路的凹口,且该凹口外露出该基板本体的表面。
12.根据权利要求10所述的半导体装置的制法,其特征在于,该容置空间为未断开该导电线路的凹口,且该凹口的中间部分外露出该基板本体的表面。
13.根据权利要求10所述的半导体装置的制法,其特征在于,该导电材为焊料。
14.根据权利要求10所述的半导体装置的制法,其特征在于,该导电体为导电柱或导电凸块。
15.根据权利要求10所述的半导体装置的制法,其特征在于,该导电线路包括相邻的第一导电线路及第二导电线路,该第一导电线路与该第二导电线路分别具有相邻的第一容置空间及第二容置空间,且该导电材形成于该第一容置空间及第二容置空间内。
16.根据权利要求10所述的半导体装置的制法,其特征在于,该导电线路上还形成有防焊层,其具有对应外露出该容置空间的开孔。
17.根据权利要求10所述的半导体装置的制法,其特征在于,该制法还包括形成底胶于该基板与该半导体组件之间,以包覆该导电线路、导电材与导电体。
18.根据权利要求10所述的半导体装置的制法,其特征在于,该导电体的部分埋入该导电材中。
19.根据权利要求10所述的半导体装置的制法,其特征在于,是以网版印刷的方式形成该导电材。
20.一种半导体装置的制法,其包括:
提供一具有基板本体与导电线路的基板,该导电线路形成于该基板本体上,该导电线路并具有容置空间;
提供一具有电性连接垫与导电体的半导体组件;
形成导电材于该导电体上;以及
通过该导电材将该半导体组件接置于该容置空间的基板本体上,以通过该导电材电性连接该导电线路。
21.根据权利要求20所述的半导体装置的制法,其特征在于,该容置空间为断开该导电线路的凹口,且该凹口外露出该基板本体的表面。
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