[发明专利]用于降低红外反射噪声的重影的红外反射/吸收层及使用其的图像传感器有效
申请号: | 201310047959.6 | 申请日: | 2013-02-06 |
公开(公告)号: | CN103794614B | 公开(公告)日: | 2017-12-12 |
发明(设计)人: | 林蔚峰;钱叶安;范纯圣 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人: | 宋融冰 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 降低 红外 反射 噪声 重影 吸收 使用 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,其包括:
感光层,其用于接收红外辐射、检测所述红外辐射并产生代表所述红外辐射的电信号;
重新分配层,其位于所述光层之下,所述重新分配层包括一种图案化的导体,用于接收所述电信号;
多个导电焊垫,其位于所述重新分配层之下,每个导电衬垫电气连接至所述图案化的导体的导体;以及
红外吸收层,其位于所述感光层与所述重新分配层之间,所述红外吸收层吸收所述红外辐射以使所述红外辐射的主体部分不会碰到所述重新分配层。
2.如权利要求1所述的图像传感器,其中,所述红外吸收层包括多层的不同材料。
3.如权利要求1所述的图像传感器,其中,所述红外吸收层包括在复合的金属-介电材料-金属夹层结构中的多层材料,所述复合的金属-介电材料-金属夹层结构包括位于第一金属层与第二金属层之间的介电层。
4.如权利要求3所述的图像传感器,其中,所述第一金属层与所述第二金属层具有不同的厚度。
5.如权利要求3所述的图像传感器,其中,所述红外辐射穿过所述第一金属层,并利用在所述第一金属层及所述第二金属层之间的共振形成驻波。
6.如权利要求3所述的图像传感器,其中,金属层及介电层的参数是如此选择的,使得在所述红外辐射穿过所述第一金属层时,所述红外辐射利用在所述第一金属层与所述第二金属层之间的共振形成驻波。
7.如权利要求6所述的图像传感器,其中,所选择的参数包括所述第一金属层的材料类型、所述第二金属层的材料类型、所述介电层的材料类型、所述第一金属层厚度、所述第二金属层厚度以及所述介电层厚度中的至少一个。
8.如权利要求3所述的图像传感器,其中,所述第一金属层与所述第二金属层中的至少一个包括铬和镍中的至少一种。
9.如权利要求3所述的图像传感器,其中,所述介电层包括SiO2。
10.如权利要求1所述的图像传感器,其中,所述红外吸收层包括单一金属层。
11.如权利要求10所述的图像传感器,其中,所述单一金属层包括铬和镍中的至少一种。
12.如权利要求1所述的图像传感器,其中,所述红外吸收层包括复合的三层构造。
13.如权利要求12所述的图像传感器,其中,所述复合的三层构造为SiO2-Cr2O3-SiO2三层构造、SiO2-TaN-SiO2三层构造以及Cr-CrOx-CrOxNy三层构造中的至少一种。
14.如权利要求1项所述的图像传感器,其中,所述红外吸收层包括复合的双层构造。
15.如权利要求14所述的图像传感器,其中,所述复合的双层构造为Si3N4-TaN双层构造以及SiC-SiO2双层构造中的至少一种。
16.如权利要求1所述的图像传感器,其中,所述红外吸收层包括单一的非金属层。
17.如权利要求16所述的图像传感器,其中,所述单一的非金属层包括Cr2O3、CrSiO、NixOy、碳黑以及黑色无机材料中的至少一种。
18.如权利要求1所述的图像传感器,其还包括在所述感光层上面的、用于吸收辐射的黑色光阻层。
19.如权利要求18所述的图像传感器,其中,所述黑色光阻层覆盖所述感光层的无源区域。
20.如权利要求1所述的图像传感器,其还包括在所述感光层之下的、用于吸收辐射的黑色光阻层。
21.如权利要求1所述的图像传感器,其中,所述红外辐射为波长范围在900–1200nm的近红外光。
22.如权利要求18所述的图像传感器,所述感光层包括由黑色光阻层覆盖的多个外部画素透镜,第一多个画素透镜的部分在两个外部画素透镜之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于豪威科技股份有限公司,未经豪威科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310047959.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:同轴电缆插接套
- 下一篇:包括组织学样品处理工位和便携式装置的系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的