[发明专利]用于降低红外反射噪声的重影的红外反射/吸收层及使用其的图像传感器有效
申请号: | 201310047959.6 | 申请日: | 2013-02-06 |
公开(公告)号: | CN103794614B | 公开(公告)日: | 2017-12-12 |
发明(设计)人: | 林蔚峰;钱叶安;范纯圣 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人: | 宋融冰 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 降低 红外 反射 噪声 重影 吸收 使用 图像传感器 | ||
技术领域
本申请涉及图像传感器,特别是涉及能大幅减少或消除由红外线(IR)辐射的反射所导致的重影(ghost image)的图像传感器。
背景技术
具有可见光及近红外光(NIR)能力图像传感器已被使用于汽车用传感器,在诸如驾驶辅助应用及安全应用的应用中,例如行人、障碍物及标志检测、后视或倒车照相机应用等。这种传感器可操作于双模式下,其允许它们能在白天(可见光谱应用)及夜间视觉(红外线应用)发挥双重功能。此种新并入的红外线能力通过扩张传感器的光谱光灵敏度至大约1050nm(适应于750-1400nm的近红外光范围)的一些工艺水平来增强的发展及实施而变得可能。
此种双模能力的一项缺点为在近红外光范围中的新灵敏度已经导致被建构的红外线重影。在某些情况下,红外辐射可被譬如通过图像传感器的重新分配层(RDL)反射,然后被图像传感器检测。这产生进入图像传感器的噪声,因此减少图像传感器的灵敏度。
发明内容
根据本发明第一实施方式,其提供了一种图像传感器,该图像传感器包括:一感光元件,用于接收红外线(IR)辐射及检测红外辐射并产生一代表红外辐射的电信号;一重新分配层(RDL)设置在感光元件之下,重新分配层包括一种图案化的导体,用于接收电信号;一红外反射层设置于感光元件与重新分配层之间,该红外反射层反射红外辐射的反射部分回到感光元件,以使红外辐射的反射部分不会碰到重新分配层。
根据本发明另一实施方式,其提供了一种图像传感器,该图像传感器包括:一感光元件,用于接收红外线(IR)辐射及检测红外辐射并产生一代表红外辐射的电信号;一重新分配层(RDL)设置在感光元件之下,重新分配层包括一种图案化的导体,用于接收电信号;一红外吸收层设置于感光元件与重新分配层之间,该红外吸收层吸收红外辐射以使红外辐射的主体部分不会碰到重新分配层。
根据本发明另一实施方式,其提供了一种图像传感器,该图像传感器包括:一感光元件,用于接收红外线(IR)辐射及检测红外辐射并产生一代表红外辐射的电信号;一重新分配层(RDL)设置在感光元件之下,重新分配层包括一种图案化的导体,用于接收电信号:一绝缘层设置于感光元件与重新分配层之间,该绝缘层适合于吸收红外辐射,以使红外辐射的一主体部分不会碰到重新分配层。
根据本发明另一实施方式,其提供了一种图像传感器,该图像传感器包括:一感光元件,用于接收红外线(IR)辐射及检测红外辐射并产生一代表红外辐射的电信号;一重新分配层(RDL)设置在感光元件之下,重新分配层包括一种图案化的导体,用于接收电信号;一红外线阻障层设置于感光元件与重新分配层之间,该红外线阻障层避免红外辐射碰到重新分配层。
附图说明
图1包括一图像传感器的概要剖面图例,其显示红外辐射的反射,可导致不被期望的重影的产生。
图2A包括一清晰影像,亦即一对照影像,其中没有形成重影。
图2B包括一影像,其中形成一重影。
图3包括一种可产生图像传感器的重新分配层的重影的图像传感器的概要剖面图例。
图4包括可产生图像传感器的重新分配层的重影的另一种图像传感器的概要剖面图例。
图5包括依据某些示范实施例的一种包括一红外反射层的图像传感器的概要剖面图。
图6包括依据某些示范实施例的包括一红外反射层的另一图像传感器的概要剖面图。
图7包括一表格,其提供关于说明于此的示范实施例的例子,于其中介电材料的多重透明性子层达成建设性反射。
图8包括一图,其显示关于定义于图7的表格的多层介电材料构造的随着波长变化的反射百分比的分布图。
图9包括一图,其显示关于具有125.96nm的厚度的单一层的铝的随着波长变化的反射百分比的分布图。
图10包括一图,其显示关于具有64.72nm的厚度的单一层的铬的随着波长变化的反射百分比的分布图。
图11包括依据某些示范实施例的包括红外吸收层的图像传感器装置的概要剖面图。
图12包括依据某些示范实施例的包括红外吸收层的另一图像传感器装置的概要剖面图。
图13包括一图,其显示依据某些示范实施例的关于具有铬-SiO2-铬夹层结构的金属-介电材料-金属夹层吸收层的吸收率(%)对波长。
图14包括一图,其显示依据某些示范实施例的关于具有镍-SiO2-镍夹层结构的金属-介电材料-金属夹层吸收层的吸收率(%)对波长。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于豪威科技股份有限公司,未经豪威科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310047959.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:同轴电缆插接套
- 下一篇:包括组织学样品处理工位和便携式装置的系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的