[发明专利]基板及应用其的半导体结构

说明书

技术领域

本发明是有关于一种基板及应用其的半导体结构，且特别是有关于一种并非所有走线都连接到电镀线的基板及应用其的半导体结构。

背景技术

传统长条基板在单一化前通常会电镀一接垫层于走线上，然后再进行切割。然而，切割后，所有的走线都残留有一作为电镀连接的线段，此些残留线段导致线路信号损失增大。

发明内容

本发明有关于一种基板及应用其的半导体结构，可改善线路信号损失的问题。

根据本发明一实施例，提出一种基板及应用其的半导体结构。基板包括一基材、一电镀线、m条走线及一凹陷部。基材具有一封装单元区。电镀线邻近封装单元区的边缘设置。m条走线形成于此些封装单元区内，m条走线中的n条走线延伸至电镀线，其中m为等于或大于2的正整数，而n选自于1到(m-1)的其中一数值。凹陷部电性隔离m条走线。

根据本发明另一实施例，提出一种基板及应用其的半导体结构。半导体结构包括一基板、一芯片及一电性连接件。基板包括一基材、m条走线及一凹陷部。基材具有一封装单元区。m条走线形成于此些封装单元区内，m条走线中的n条走线延伸至电镀线，其中m等于或大于2的正整数，而n选自于1到(m-1)的其中一数值。凹陷部电性隔离m条走线。芯片设于基板上。电性连接件电性连接芯片与m条走线。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明如下：

附图说明

图1A绘示依照本发明一实施例的半导体结构的俯视图。

图1B绘示图1A沿方向1B-1B’的剖视图。

图1C绘示图1A沿方向1C-1C’的剖视图。

图1D绘示图1A沿方向1D-1D’的剖视图。

图2绘示依照本发明另一实施例的半导体结构的局部俯视图。

图3绘示依照本发明另一实施例的半导体结构的局部俯视图。

图4绘示依照本发明另一实施例的半导体结构的局部俯视图。

图5A绘示依照本发明另一实施例的半导体结构的局部俯视图。

图5B绘示图5A中沿方向5B-5B’的剖视图。

图6绘示依照本发明另一实施例的半导体结构的俯视图。

图7绘示图1的半导体结构的信号测试图。

图8A至8E绘示依照本发明一实施例的半导体结构的制造过程图。

主要元件符号说明：

100、200、300、400、500：半导体结构

110：基板

110u、111u、112u：上表面

111：基材

111b：下表面

111s：边缘侧面

112：走线群组

112e：走线延伸部

112p：接垫部

112t、112t’：走线

112v、112v’：导通孔

1121：走线段

113：凹陷部

114：连接线

115：电镀线

120：芯片

120R：芯片设置区

120u：主动面

130：电性连接件

140：封装体

140R：封装单元区

150：保护层

150a：开孔

C1、C2：曲线

具体实施方式

请参照图1A，其绘示依照本发明一实施例的半导体结构的俯视图。半导体结构100包括基板110、芯片120、数个电性连接件130、封装体140(图1D)及保护层150。

基板110包括基材111(图1B)、数个走线群组112及数个凹陷部113。基材111的材质可选自于有机(organic)材料、陶瓷(ceramic)材料、硅基材或金属。此外，基材111可以是单层或多层线路基材。

基材111具有边缘侧面111s。各走线群组112形成于基材111上且包括m条走线112t。本例的走线群组112的数量以四个为例说明，其分别邻近于芯片120的四个侧边；然而，数个走线群组112亦可邻近于芯片120的单个侧边。此外，走线群组112的数量亦可少于或多于四个。