[发明专利]一种高压LDMOS器件有效
| 申请号： | 201310049146.0 | 申请日： | 2013-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN103094350A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 郭宇锋;徐光明;花婷婷;黄示;张长春;夏晓娟 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 朱小兵 |
| 地址： | 210003 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高压 ldmos 器件 | ||
1.一种高压LDMOS 器件，包括第一导电类型半导体衬底（1）、位于第一导电类型半导体衬底（1）上方的第二导电类型半导体漂移区（2）以及位于第二导电类型半导体漂移区（2）上方的高压LDMOS器件表面层；其中，在第二导电类型半导体漂移区（2）顶部一侧具有第二导电类型半导体漏区（10），在第二导电类型半导体漂移区（2）顶部另一侧具有第一导电类型半导体体区（6），在第一导电类型半导体体区（6）中具有第二导电类型半导体源区（11）和第一导电类型半导体体接触区（12）；
所述高压LDMOS器件表面层由场氧化层（7）、栅氧化层（8）、源极金属（14）、漏极金属（15）组成，其中，漏极金属（15）与第二导电类型半导体漏区（10）接触，源极金属（14）分别与第二导电类型半导体源区（11）和第一导电类型半导体体接触区（12）接触，第一导电类型半导体体区（6）与栅氧化层（8）接触，栅氧化层（8）表面是栅极（9），第二导电类型半导体漂移区（2）分别与场氧化层（7）、栅氧化层（8）接触，其特征在于，第二导电类型半导体漂移区（2）内部还具有n个与场氧化层（7）相接触的第一导电类型半导体降场层（3），在每个第一导电类型半导体降场层（3）靠近第二导电类型半导体源区（11）一侧具有与降场层（3）相连或重合的第一导电类型半导体重掺杂区（13）；n为大于0的自然数。
2.根据权利要求1所述的一种高压LDMOS 器件，其特征在于，所述第二导电类型半导体漂移区（2）是直接在半导体衬底（1）的上表面外延形成，或者先在半导体衬底（1）上面制作埋氧层（4），然后在埋氧层（4）上面外延形成。
3.根据权利要求1或2所述的一种高压LDMOS器件，其特征在于，所述第一导电类型半导体降场层（3）的浓度分布是均匀分布或横向线性掺杂分布；当浓度分布是横向线性掺杂分布时，掺杂浓度自第二导电类型半导体源区（11）一侧至第二导电类型半导体漏区（10）一侧逐渐降低。
4.根据权利要求3所述的一种高压LDMOS器件，其特征在于，所述第二导电类型半导体漂移区（2）的材料是硅、碳化硅、砷化镓或锗硅。
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