[发明专利]一种镁基薄膜结构及其制备方法

权利要求书

1.一种镁基薄膜结构，其特征在于，包括至少一层镁层、至少一层钛夹层，以及一层钯覆盖层，其中一层镁层位于最底层，镁层与钛夹层交替排列，钯覆盖层位于最上层。

2.如权利要求1所述的镁基薄膜结构，其特征在于，所述钛夹层的厚度为0.5-1.5nm。

3.如权利要求1所述的镁基薄膜结构，其特征在于，所述镁层的总厚度为500nm；所述钯覆盖层的厚度为5-20nm。

4.一种制备权利要求1镁基薄膜结构的方法，其特征在于，在基底上溅射一层镁层，然后在该镁层上溅射一层钛夹层，形成镁层与钛夹层相互交替的薄膜结构，最后在最上层的表面溅射一层钯覆盖层。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基底选自普通玻璃片、石英片和硅片中的一种。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基底在使用前需要先超声清洗干净。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，超声清洗时，清洗剂依次选择去离子水、丙酮和乙醇，温度为25-80℃。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，超声清洗的时间各为15-30分钟。

9.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述溅射为磁控溅射，溅射条件为：真空度低于1×10^-3Pa；氩气的流量是20-90sccm；氩气的工作压力为0.4-0.8Pa；溅射功率为45-60W。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，溅射时，基底的转速为10-20转/分。