[发明专利]光学半导体装置用封装体及其制造方法、以及光学半导体装置及其制造方法有效
申请号: | 201310050825.X | 申请日: | 2013-02-08 |
公开(公告)号: | CN103247740B | 公开(公告)日: | 2018-03-23 |
发明(设计)人: | 后藤涉;塩原利夫 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/64;H01L33/62 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 张永康,向勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 半导体 装置 封装 及其 制造 方法 以及 | ||
1.一种光学半导体装置用封装体,其特征在于,
在使用至少一层以上的半固化片固化而成的基台的顶面上,具有要与光学半导体元件电连接的至少两个电连接部、及围绕前述要连接的光学半导体元件的反射体结构,所述半固化片是将硅酮树脂组合物含浸于纤维增强材料中,
构成前述基台的纤维增强材料具有90°旋转的3层以上的纤维层,
前述基台在25℃、1GHz下的相对介电常数为5.0以下。
2.如权利要求1所述的光学半导体装置用封装体,其中,前述纤维增强材料为玻璃纤维。
3.如权利要求1所述的光学半导体装置用封装体,其中,前述硅酮树脂组合物为缩合固化型或加成固化型硅酮树脂组合物。
4.如权利要求1所述的光学半导体装置用封装体,其中,前述电连接部包含至少一层金属层。
5.如权利要求1所述的光学半导体装置用封装体,其中,前述基台在底面上具有底面金属被覆层。
6.如权利要求5所述的光学半导体装置用封装体,其中,前述基台具有至少一个以上穿孔,前述顶面的电连接部与前述底面金属被覆层通过该穿孔而电连接。
7.如权利要求1所述的光学半导体装置用封装体,其中,前述反射体结构是由硅酮树脂、环氧树脂、及硅酮树脂与环氧树脂的杂化树脂中的任一种成型。
8.一种光学半导体装置,其是在权利要求1至7中的任一项所述的光学半导体装置用封装体上,承载光学半导体元件制造而成。
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