[发明专利]异质结电池及其制作方法

权利要求书

1.一种异质结电池，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底下表面的钝化掺杂层和位于所述钝化掺杂层下表面的导电层，所述钝化掺杂层和所述导电层的交界面为第一交界面，所述第一交界面为平面或平缓圆滑的曲面，以使穿过所述衬底到达所述第一交界面的光子经所述第一交界面的反射，回到所述衬底内部。

2.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，还包括：覆盖在所述导电层下表面的背面电极层，所述导电层和所述背面电极层的交界面为第二交界面，所述第二交界面为平面或平缓圆滑的曲面，以使穿过所述衬底到达所述第二交界面的光子经所述第二交界面的反射，回到所述衬底内部。

3.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，还包括：位于所述导电层下表面的背面栅线。

4.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，所述钝化掺杂层的材料为非晶硅。

5.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，所述导电层的材料为ITO、IZO、AZO、BZO、IMO或IWO中的至少一种。

6.一种异质结电池的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底的上表面和下表面为绒面；

平坦化所述衬底的下表面；

在所述衬底的下表面形成钝化掺杂层，在所述钝化掺杂层的下表面形成导电层，所述钝化掺杂层和所述导电层的交界面为第一交界面，所述第一交界面为平面或平缓圆滑的曲面，以使穿过所述衬底到达所述第一交界面的光子经所述第一交界面的反射，回到所述衬底内部。。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述平坦化所述衬底的下表面的过程为，采用具有腐蚀性的溶液对所述衬底的下表面进行腐蚀，使所述衬底的下表面成为平面或平缓圆滑的曲面。

8.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底的下表面形成钝化掺杂层的过程采用的工艺为：化学气相淀积工艺或物理气相淀积工艺；所述在所述钝化掺杂层的下表面形成导电层的过程采用的工艺为：化学气相淀积工艺或物理气相淀积工艺。

9.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，还包括：在所述导电层的下表面形成背面电极层。

10.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，还包括：在所述导电层的下表面形成背面栅线。