[发明专利]低泄漏电路、装置和技术

权利要求书

1.一种减小集成电路中的泄漏电流的方法，所述集成电路包括电路的多个子块，每个子块包括上电源端子、低电源端子、以及输入信号端子或输出信号端子，所述方法包括以下步骤：

当所述集成电路操作在活动模式下时，连接所述多个子块中的子块的所述上电源端子和所述低电源端子，以将所述子块并联连接在上活动模式电源和低活动模式电源之间；

当所述集成电路操作在待机模式下时，连接所述多个子块中的两个或更多个子块的所述上电源端子和所述低电源端子，以将所述两个或更多子块串联连接在上待机模式电源和低待机模式电源之间；以及

当所述集成电路操作在所述待机模式下时，激活所述两个或更多个子块中的一个子块内的隔离电路，以将所述一个子块的电路与所述一个子块的所述输入信号端子或所述输出信号端子隔离。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

子块的所述并联连接包括：对每个子块，将子块的所述上电源端子连接至所述上活动模式电源，和将子块的所述低电源端子连接至所述低活动模式电源，以及

子块的所述串联连接包括：对所述串联连接中的第一子块，将所述第一子块的所述低电源端子连接至所述低待机模式电源，和将所述第一子块的所述上电源端子连接至所述串联连接中的下一子块的所述低电源端子，并且，对所述串联连接中的最后一个子块，将所述最后一个子块的所述低电源端子连接至所述串联连接中的前一子块的所述上电源端子，和将所述最后一个子块的所述上电源端子连接至所述上待机模式电源。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述两个或更多个子块中的每个子块包括至少一个状态保留元件，

所述方法进一步包括：

当所述集成电路操作在待机模式下时，将所述多个子块中的不包括状态保留元件的子块的所述上电源端子和所述低电源端子连接至所述低待机模式电源。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述上活动模式电源和低活动模式电源提供与所述上待机模式电源和低待机模式电源不同的电压。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：

基于所述串联连接中的每个子块所需要的待机模式电源幅值和最小电源幅值，在所述两个或更多个子块的串联连接中选择一些子块以串联连接在所述上待机模式电源和低待机模式电源之间。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，进一步包括：

监控所述待机模式电源幅值，以基于所述待机模式电源幅值而动态调节串联连接在所述上待机模式电源和低待机模式电源之间的子块数目。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：

当所述集成电路操作在所述待机模式下时，对串联连接的所述两个或更多个子块中的至少一个子块，将一个子块的本体端子连接至与在该一个子块的晶体管的源极端子处的电压不同的电压，所述晶体管具有连接至该一个子块的所述本体端子的本体端子，

其中，每个子块的所述本体端子连接至所述子块中的至少一个晶体管的本体端子。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，当所述集成电路操作在所述待机模式下时，对所述两个或更多个子块中的每个子块，所述子块的所述本体端子连接至所述子块的所述上电源端子或低电源端子中的一个。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，进一步包括：

当所述集成电路操作在所述待机模式下时，对所述两个或更多个子块中的每个子块，将所述子块的第二本体端子连接至所述子块的所述上电源端子或低电源端子中的另一个，

其中，每个子块的所述第二本体端子连接至所述子块中的至少一个晶体管的本体端子。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，对所述两个或更多个子块中的每个子块，所述子块的所述本体端子连接至一节点，所述节点具有比所述子块的所述上电源端子的电压更高的电压或比所述子块的所述低电源端子的电压更低的电压。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，每个子块具有形成在所述集成电路的基板中的相关深n阱区域，以及每个子块的所述电路形成在与所述子块相关的深n阱区域之上。