[发明专利]电力半导体元件

权利要求书

1.一种电力半导体元件，

具备：

第一电极；

第一半导体层，设置在上述第一电极之上，与上述第一电极电连接；

第二半导体层，设置在上述第一半导体层之上；

第一导电型的多个第一柱层，设置在上述第二半导体层，在相对于上述第一半导体层和上述第二半导体层之间的层叠方向垂直的第一方向上排列；

第二导电型的多个第二柱层，设置在上述多个第一柱层的各个第一柱层之间；

第二导电型的第三半导体层，设置在上述第二半导体层之上；

第二导电型的第四半导体层，设置在上述第二半导体层之上的上述第三半导体层以外的位置上；

第一导电型的第五半导体层，设置在上述第三半导体层之上，在上述第一方向上隔着上述第三半导体层与上述第一柱层相邻；

第一导电型的第六半导体层，设置在上述第四半导体层之上，在上述第一方向上隔着上述第四半导体层与上述第一柱层相邻；

第二电极，与上述第三半导体层以及上述第五半导体层电连接；

第三电极，设置在上述第二半导体层之上，在上述第一方向上与上述第二电极分离，与上述第四半导体层以及上述第六半导体层电连接；

第四电极，隔着绝缘膜设置在上述第三半导体层之上、上述第五半导体层之上以及与上述第三半导体层相邻接的上述第一柱层之上；以及

第五电极，隔着绝缘膜设置在上述第四半导体层之上、上述第六半导体层之上以及与上述第四半导体层相邻接的上述第一柱层之上，

处在位于上述第四电极之下的上述第一柱层与位于上述第五电极之下的上述第一柱层之间的位置上的上述第一柱层的杂质浓度，比位于上述第四电极之下的上述第一柱层的杂质浓度以及位于上述第五电极之下的上述第一柱层的杂质浓度低，

处在位于上述第四电极之下的上述第一柱层与位于上述第五电极之下的上述第一柱层之间的位置上的上述第二柱层的杂质浓度，比处在上述位于上述第四电极之下的上述第一柱层以及位于上述第五电极之下的上述第一柱层之间的位置以外的位置上的上述第二柱层的杂质浓度低，

上述第三半导体层的上述第一方向的宽度中心，设置在上述第五半导体层与上述第六半导体层之间，

上述多个第一柱层在相对于上述层叠方向以及上述第一方向垂直的第二方向上延伸，

上述第三电极沿着上述第二方向的长度比上述第三电极沿着上述第一方向的长度长，

上述第二半导体层包括上述第一电极与上述第三电极之间的第一部分、上述第一电极与上述第二电极之间的第二部分、以及在上述第二方向上在上述第一部分与上述第二部分之间的第三部分，

上述第三部分中的上述多个第一柱层的杂质浓度，比上述第一部分中的上述多个第一柱层的杂质浓度以及上述第二部分中的上述多个第一柱层的杂质浓度低，

上述第四电极的面积比上述第五电极的面积大，

上述第四电极为网格状，

上述第五电极为线状。