[发明专利]电力半导体元件

说明书

本申请享受以日本专利申请2012-208592号(申请日：2012年9月21日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种电力半导体元件。

背景技术

作为电力半导体元件，例如存在纵型功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)。在纵型功率MOSFET中构成为，设置有用于对元件中流动的电流进行检测的传感电极。由此，例如能够抑制过电流导致的元件破坏。

在具有传感电极的纵型功率MOSFET中，传感电极中流动的电流与源电极中流动的电流之间的电流比(传感(sense)比)根据温度而变化。

发明内容

本发明的实施方式提供一种稳定的传感比的电力半导体元件。

根据本发明的实施方式，提供一种电力半导体元件，具备第一电极、第一半导体层、第二半导体层、多个第一柱层、第三半导体层、第四半导体层、第五半导体层、第六半导体层、第二电极、第三电极、第四电极以及第五电极。上述第一半导体层设置在上述第一电极之上，与上述第一电极电连接。上述第二半导体层设置在上述第一半导体层之上。上述多个第一柱层设置在上述第二半导体层，在相对于上述第一半导体层和上述第二半导体层之间的层叠方向垂直的第一方向排列，为第一导电型。上述第三半导体层设置在上述第二半导体层之上，为第二导电型。上述第四半导体层设置在上述第二半导体层之上的上述第三半导体层以外的位置上，为第二导电型。上述第五半导体层设置在上述第三半导体层之上，在上述第一方向上隔着上述第三半导体层与上述第一柱层相邻，为第一导电型。上述第六半导体层设置在上述第四半导体层之上，在上述第一方向上隔着上述第四半导体层与上述第一柱层相邻，为第一导电型。上述第二电极与上述第三半导体层以及上述第五半导体层电连接。上述第三电极设置在上述第二半导体层之上，在上述第一方向上与上述第二电极分离，并与上述第四半导体层以及上述第六半导体层电连接。上述第四电极隔着绝缘膜设置在上述第三半导体层之上、上述第五半导体层之上以及与上述第三半导体层相邻接的上述第一柱层之上。上述第五电极隔着绝缘膜设置在上述第四半导体层之上、上述第六半导体层之上以及与上述第四半导体层相邻接的上述第一柱层之上。处在位于上述第四电极之下的上述第一柱层与位于上述第五电极之下的上述第一柱层之间的位置上的上述第一柱层的杂质浓度，比位于上述第四电极之下的上述第一柱层的杂质浓度以及位于上述第五电极之下的上述第一柱层的杂质浓度低。

附图说明

图1(a)以及图1(b)是对第一实施方式的电力半导体元件的构成进行例示的示意图。

图2是对第一实施方式的电力半导体元件的构成进行例示的示意平面图。

图3(a)以及图3(b)是对第一实施方式的变形例的电力半导体元件的构成进行例示的示意图。

图4(a)以及图4(b)是对第二实施方式的电力半导体元件的构成进行例示的示意图。

图5(a)以及图5(b)是对第二实施方式的电力半导体元件的构成进行例示的示意图。

图6是对第三实施方式的电力半导体元件的构成进行例示的示意平面图。

图7是对第三实施方式的变形例的电力半导体元件的构成进行例示的示意图。

附图标记的说明