[发明专利]一种减少铝衬垫表面缺陷的方法有效
| 申请号： | 201310054748.5 | 申请日： | 2013-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN103165483A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 赵万金;胡彬彬;刘睿;龙吟;倪棋梁;陈宏璘 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 减少 衬垫 表面 缺陷 方法 | ||
1.一种减少铝衬垫表面缺陷的方法，应用于一具有半导体结构的衬底上，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：将所述衬底置入一第一反应腔中，同时启动设置在第一反应腔中的第一加热装置；
步骤2：向所述第一反应腔内通入气体，进行第一层铝沉积工艺，于所述衬底的上表面制备第一铝层；
步骤3：将所述上表面制备有第一铝层的衬底移入第二反应腔中，同时启动设置在第二反应腔内的第二加热装置；
步骤4：向所述第二反应腔内通入气体，进行第二层铝沉积工艺，于所述衬底的上表面制备第二铝层；
其中，所述第一铝层和所述第二铝层构成一铝衬垫。
2.如权利要求1所述的减少铝衬垫表面缺陷的方法，其特征在于，还包括制备所述具有半导体结构的衬底的工艺，该衬底的制备工艺包括：
于所述衬底的上表面沉积一金属连接层后，沉积一钝化层覆盖于所述金属连接层的上表面；
部分刻蚀所述钝化层至所述金属连接层的上表面，形成连接凹槽；
其中，所述第一铝层覆盖于所述钝化层的上表面及所述连接凹槽的侧壁及底部。
3.如权利要求1所述的减少铝衬垫表面缺陷的方法，其特征在于，所述第一铝层的厚度是所述铝衬垫厚度的1/8~1/4。
4.如权利要求1至3中任意一项所述的减少铝衬垫表面缺陷的方法，其特征在于，所述第一铝层的厚度为2000A~8000A。
5.如权利要求1所述的减少铝衬垫表面缺陷的方法，其特征在于，在所述第一层铝沉积工艺中，所述第一反应腔内的温度T1为100℃≤T1≤220℃。
6.如权利要求5所述的减少铝衬垫表面缺陷的方法，其特征在于，在所述第一层铝沉积工艺中，所述第一反应腔内的温度是200℃。
7.如权利要求1所述的减少铝衬垫表面缺陷的方法，其特征在于，在所述第二层铝沉积工艺中，所述第二反应腔内的温度T2为250℃≤T2≤300℃。
8.如权利要求7所述的减少铝衬垫表面缺陷的方法，其特征在于，在所述第二层铝沉积工艺中，所述第二反应腔内的温度是270℃。
9.如权利要求1所述的减少铝衬垫表面缺陷的方法，其特征在于，还包括利用第一铝靶材进行所述第一层铝沉积工艺，且施加在所述铝靶材上的直流电功率P1为28KW≤P1≤35KW。
10.如权利要求1所述的减少铝衬垫表面缺陷的方法，其特征在于，还包括利用第二铝靶材进行所述第二层铝沉积工艺，且施加在所述铝靶材上的直流电功率P2为20KW≤P2≤25KW。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
