[发明专利]氧化物薄膜基板、它的制造方法及包括它的光伏电池和有机发光器件

权利要求书

1.氧化物薄膜基板，包含：

在它的表面上具有第一纹理的基底基板；和

在所述基底基板上形成并且在它的表面上具有第二纹理的透明氧化物薄膜。

2.如权利要求1所述的氧化物薄膜基板，其中，所述第一纹理包含：

在所述基底基板表面上形成的多个第一突起物，和

多个第二突起物，所述多个第二突起物中的至少一个第二突起物在所述多个第一突起物中每个第一突起物的表面上形成。

3.如权利要求2所述的氧化物薄膜基板，其中，所述基底基板的表面粗糙度(RMS)在0.1μm至20μm的范围内。

4.如权利要求2所述的氧化物薄膜基板，其中，所述第二突起物的宽度和高度在0.1μm至1μm的范围内。

5.如权利要求2所述的氧化物薄膜基板，其中，所述第二纹理包含：

在所述透明氧化物薄膜的表面上形成的多个第三突起物；和

在包括所述多个第三突起物的表面的所述透明氧化物薄膜的整个表面上形成的多个第四突起物。

6.如权利要求5所述的氧化物薄膜基板，其中，所述多个第三突起物中的每个在对应于所述第二突起物的位置形成。

7.如权利要求6所述的氧化物薄膜基板，其中，所述第三突起物的宽度在0.1μm至5μm的范围内，所述多个第三突起物中相邻的第三突起物间的距离在0μm至10μm的范围内，并且所述第三突起物的高度在0.1μm至5μm的范围内。

8.如权利要求7所述的氧化物薄膜基板，其中，所述第四突起物的宽度在0.01μm至0.4μm的范围内，所述多个第四突起物种相邻的第四突起物间的距离在0.01μm至0.4μm的范围内，并且所述第四突起物高度在0.01μm至0.5μm的范围内。

9.如权利要求1所述的氧化物薄膜基板，其中，所述透明氧化物薄膜的雾度值在75%至86%的范围内。

10.如权利要求1所述的氧化物薄膜基板，其中，所述透明氧化物薄膜的薄层电阻在49Ω/□至75Ω/□的范围内。

11.一种制造氧化物薄膜基板的方法，包含：

通过蚀刻基底基板的表面在所述基底基板的表面上形成第一纹理；和

用透明氧化物薄膜涂布在其上形成所述第一纹理的所述基底基板的表面，从而在所述透明氧化物薄膜的表面上形成第二纹理。

12.如权利要求11所述的方法，其中，在所述基底基板的表面上形成所述第一纹理包含通过喷砂处理蚀刻所述基板的表面。

13.如权利要求11所述的方法，其中，用所述透明氧化物薄膜涂布所述基底基板的表面包含通过常压化学气相沉积用所述透明氧化物薄膜涂布所述基底基板。

14.光伏电池，包含作为透明电极基板的如权利要求1所述的氧化物薄膜基板。

15.有机发光器件，包含作为光提取基板如权利要求1所述的氧化物薄膜基板。