[发明专利]氧化物薄膜基板、它的制造方法及包括它的光伏电池和有机发光器件

说明书

相关专利申请的交叉引用

本申请要求于2012年2月21日递交的韩国专利申请第10-2012-0017479号的优先权，其全部内容为所有目的通过引用合并于此。

技术领域

本发明涉及氧化物薄膜基板、它的制造方法及包括它的光伏电池和有机发光器件，更具体地，涉及具有高雾度值的氧化物薄膜基板、它的制造方法及包括它的光伏电池和有机发光器件。

背景技术

通常，透明氧化物薄膜用于光伏电池的透明电极或旨在根据它的电导率而提高光提取效率的光提取层。这里，在光伏电池的透明电极的表面和有机发光器件的光提取层上形成纹理，以便提高光学效率。

氧化锌(ZnO)为用于氧化物薄膜的常见成分，所述氧化物薄膜形成光伏电池的透明电极和有机发光器件的光提取层。ZnO通过常压化学气相沉积(APCVD)形成为涂布在玻璃基板上的薄膜，因而形成用于光伏电池的透明电极或有机发光器件的光提取层，其中常压化学气相沉积由于例如其较快的溅射或涂布速率及高生产率而适于大规模生产。

然而，APCVD具有无法建立有机前体等的稳定性和加工的问题。在溅射过程中，用厚的氧化物膜涂布玻璃基板，这转而通过湿法蚀刻产生表面纹理。但是，这个工艺通常分成两个步骤，且用于大规模生产的能力有限。

同时，当其雾度值更高时，用于光伏电池或有机发光器件的氧化物薄膜呈现更好的光学效率。通过在氧化物薄膜的表面上形成的纹理确定雾度值。然而，在氧化物薄膜上使用简单蚀刻的现有技术的方法在通过控制纹理的形状而提高雾度值的方面能力有限。此外，当氧化物薄膜用于光伏电池的透明电极时，在电极的光学特性和电学特性之间会顾此失彼(trade-off)。由于这个问题，对纹理形状的控制具有许多困难。具体地，当将氧化物薄膜用于光伏电池的透明电极时，氧化物薄膜雾度值的提高导致膜的薄层电阻(Ω/□)的提高，从而降低了氧化物薄膜的电学特性，这是有问题的。

本发明的背景部分中公开的信息仅用于增强对发明的背景的理解，并且不应作为承认或以任何形式建议这个信息形成本领域技术人员已知的现有技术。

发明内容

本发明的多个方面提供了具有高雾度值的氧化物薄膜基板、它的制造方法及包括它的光伏电池和有机发光器件。

本发明的一个方面中，提供了包括在它的表面上具有第一纹理的基底基板的氧化物薄膜基板；和形成在所述基底基板上的透明氧化物薄膜，所述透明氧化物薄膜在它的表面上具有第二纹理。

在示例性实施方式中，所述第一纹理可包括形成在所述基底基板表面上的多个第一突起物(projection)，和多个第二突起物，所述多个第二突起物中的至少一个第二突起物形成在所述多个第一突起物中的每个第一突起物的表面上。

所述基底基板的表面粗糙度(RMS)可在0.1μm至20μm的范围内。

所述第二突起物的宽度和高度可在0.1μm至1μm的范围内。

所述第二纹理可包括在所述透明氧化物薄膜的表面上形成的多个第三突起物和在包括所述多个第三突起物的表面的所述透明氧化物薄膜的整个表面上形成的多个第四突起物。

所述多个第三突起物中的每个可在对应于所述第二突起物的位置上形成。

所述第三突起物的宽度可在0.1μm至5μm的范围内，所述多个第三突起物中相邻的第三突起物之间的距离可在0μm至10μm的范围内，并且所述第三突起物的高度可在0.1μm至5μm的范围内。

所述第四突起物的宽度可在0.01μm至0.4μm的范围内，所述多个第四突起物中相邻的第四突起物之间的距离可在0.01μm至0.4μm的范围内，并且所述第四突起物的高度可在0.01μm至0.5μm的范围内。

此外，所述透明氧化物薄膜的雾度值可在75%至86%的范围内。

此外，所述透明氧化物薄膜的薄层电阻可在49Ω/□至75Ω/□的范围内。

本发明的另一个方面中，提供了制造氧化物薄膜基板的方法。所述方法包括以下步骤：通过蚀刻所述基底基板的表面在所述基底基板的表面上形成第一纹理；和用透明氧化物薄膜涂布在其上形成所述第一纹理的所述基底基板的表面，从而在所述透明氧化物薄膜的表面上形成第二纹理。

在示例性实施方式中，在所述基底基板的表面上形成所述第一纹理的步骤可包括通过喷砂处理蚀刻所述基板的表面。

此外，用所述透明氧化物薄膜涂布所述基底基板的表面的步骤可包括通过常压化学气相沉积(APCVD)用所述透明氧化物薄膜涂布所述基底基板。