[发明专利]一种在有机电子器件薄膜封装过程中保护电极的方法

权利要求书

1.一种在有机电子器件封装过程中保护接触电极的方法，其步骤如下：

1）选用带有ITO导电膜的玻璃作为衬底，采用光刻胶掩膜然后刻蚀的方法，在玻璃衬底上制备工字形ITO阳极，裸露出的玻璃衬底被工字形ITO阳极分为左右对称的结构；

2）在工字形ITO阳极上和裸露的玻璃衬底上制备有机电子器件的功能层，以沿着工字形ITO阳极粱的方向为长度方向，以垂直于粱的方向为宽度方向，功能层的宽度略大于工字形ITO阳极的粱的宽度，功能层的长度小于工字形ITO阳极梁的长度；

3）在功能层和裸露的玻璃衬底上制备长方形的金属阴极，金属阴极的宽度与玻璃衬底相同，金属阴极的长度小于功能层的长度，即金属阴极的中间区域覆盖在功能层上，而被功能层分开的两端区域则覆盖在裸露的玻璃衬底上，金属阴极不与工字形ITO阳极接触，从而制备得到有机电子器件；

4）将两条带有胶黏层的长方形保护膜沿长度方向贴在有机电子器件两侧的工字形ITO阳极、裸露的玻璃衬底和金属阴极上；

5）将贴有保护膜的有机电子器件进行薄膜封装；

6）封装结束后揭下保护膜，有机电子器件两侧的工字形ITO阳极和金属阴极完全露出，从而实现了在有机电子器件薄膜封装过程中对电极的保护。

2.如权利要求1所述的一种在有机电子器件封装过程中保护接触电极的方法，其特征在于：衬底是玻璃刚性衬底，其厚度为100um～1000um；或是聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚酰亚胺柔性衬底，其厚度为20um～100um。

3.如权利要求1所述的一种在有机电子器件封装过程中保护接触电极的方法，其特征在于：金属阴极是金、银、铜、铝、钛或镍。

4.如权利要求1所述的一种在有机电子器件封装过程中保护接触电极的方法，其特征在于：保护膜是硅片保护膜、切割保护蓝膜、PVC绿膜、PMMA静电保护膜、PET静电保护膜、PVC静电保护膜。

5.如权利要求1所述的一种在有机电子器件封装过程中保护接触电极的方法，其特征在于：薄膜封装是利用原子层沉积技术获得的无机封装薄膜，或是通过电子束蒸镀、有机气相沉积、旋涂获得的金属单质或有机物薄膜。

6.如权利要求1所述的一种在有机电子器件封装过程中保护接触电极的方法，其特征在于：无机封装薄膜为金属氧化物或金属氮化物。

7.如权利要求5所述的一种在有机电子器件封装过程中保护接触电极的方法，其特征在于：原子层沉积的沉积温度为70～90℃，沉积速率为所制备的无机封装薄膜层的厚度为30～150nm。

8.如权利要求1所述的一种在有机电子器件封装过程中保护接触电极的方法，其特征在于：有机电子器件是有机电致发光器件、有机薄膜晶体管或有机太阳电池。