[发明专利]一种在有机电子器件薄膜封装过程中保护电极的方法

说明书

技术领域

本发明属于有机电子器件领域，具体涉及一种在有机电子器件薄膜封装过程中保护接触电极的方法，通过该方法可以有效避免器件电极被封装薄膜覆盖从而导致器件电极接触失效的现象。

背景技术

有机电子器件相比于其它无机器件的一个重要的优势就是可以制成柔性产品。但有机电子器件的产业化还存在着许多问题，关键问题之一是有机器件对空气中的水氧侵蚀敏感导致其寿命下降。因此，有机电子器件必须进行有效封装以阻隔水氧。传统的方法是利用环氧树脂作为衬底与盖板之间的粘合剂形成封装，但环氧树脂固化交联后形成的三维立体网状结构易产生较大的内应力使环氧树脂变脆易开裂，导致器件密封性能下降。近年来，随着各种封装薄膜技术的发展，利用薄膜技术可以形成阻隔水氧进入器件的钝化层来保护器件，其具有轻、薄、可实现大面积等优势而备受关注。这种封装方法使有机电子器件寿命更长，机械性能更优异。

目前原子层沉积（atomic layer deposition，ALD）被认为是最有效的薄膜封装方法。原子层沉积技术是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法，其是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附反应而形成沉积膜。新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子。这种方法可以准确的在纳米尺寸范围内控制无机钝化层厚度，制备致密无孔的薄膜，有效阻隔水氧。但为了导通，器件电极必须与接触探针或焊点导通，因此器件电极部分是要避免封装的。而ALD封装方法是全覆盖无缝隙的，利用传统掩膜板的方法，器件衬底会与掩模板之间产生微米级的缝隙，这些缝隙会使器件的电极在ALD沉积过程中也被封装材料覆盖住，使器件接触失效。

通常的电极保护方法选用铜导电胶带，在电极上增加大于器件电极面积的强附着性导电物质（一般为带状或线状），同时将导电物质引出端保护起来的方法来解决电极接触问题。例如在ALD封装前将铜导电胶粘在电极处，将引出端采用向衬底背面弯折的方法保护起来。但ALD沉积过程前驱体为气体，因此做到引出电极无气体渗透的完全保护难以实现。另一种电极保护方法是利用光交联聚合物例如聚乙烯醇月桂酸酯覆盖住电极，这种方法可以非常好的保护接触电极，避免ALD沉积过程中封装材料的覆盖。但ALD封装后将光交联聚合物取下时，由于金属薄膜电极与玻璃，硅，塑料等衬底的附着力低于金属与光交联聚合物材料的附着力，电极也被从衬底上揭下，因此光交联聚合物保护金属电极的方案行不通。

硅片保护膜，为基材层和胶粘层的双层结构，可以被轻易撕除而无胶黏剂残留，其具有附着力低且与金属、玻璃、硅、PET、PES等基材密和性优异的特点，可以作为有机电子器件的电极保护层。

发明内容

本发明的目的是提供一种在有机电子器件封装过程中保护接触电极的方法，其具体是利用硅片保护膜来有效的隔绝封装材料的渗入，该方法可以使接触电极得到有效保护。

所述的有机电子器件依次由衬底、ITO阳极、功能层和金属阴极组成；功能层由空穴传输层、活性层和电子传输层组成；此外，在ITO电极和空穴传输层间还可以有非必需的空穴注入层，在电子传输层和金属阴极间还可以有非必需的电子注入层，在电子传输层和金属阴极间还可以有阴极缓冲层。

所述的有机电子器件是有机电致发光器件（organic light emitting device，OLED），还可以是有机薄膜晶体管（organic thin-film transistor，OTFT），有机太阳电池（organic photovoltage，OPV）等；

本发明所述方法，其步骤如下：

1）选用带有ITO导电膜的玻璃作为衬底，采用光刻胶掩膜然后刻蚀的方法，在玻璃衬底上制备外形尺寸与玻璃衬底相符合的工字形ITO阳极，工字形ITO阳极的中心与玻璃衬底的中心重合，裸露出的玻璃衬底被工字形ITO阳极分为左右对称的结构；

2）在工字形ITO阳极上和裸露的玻璃衬底上制备有机电子器件的功能层，功能层的中心与工字形ITO阳极的中心重合，以工字形ITO阳极粱的方向为高长度方向，以垂直于粱的方向为宽度方向，功能层的宽度略大于工字形ITO阳极的粱的宽度，而其长度要小于工字形ITO阳极的长度；

3）在功能层和裸露的玻璃衬底上制备长方形的金属阴极，金属阴极的宽度与玻璃衬底相同，其长度小于工字形ITO阳极粱的长度，即金属阴极的中间区域覆盖在功能层上，而被功能层分开的两端区域则覆盖在裸露的玻璃衬底上，但金属阴极不与工字形ITO阳极接触，从而制备得到机电子器件；