[发明专利]半导体结构

权利要求书

1.一半导体结构，其中该结构包含：

一半导体基材；

位于该半导体基材上的一金属层；

一导电柱形成于该金属层上并与该金属层电连接，其中该导电柱具有一承载面与位于该承载面下方的一水平截面，该承载面与外部接触的表面积大于该水平截面面积；以及

一焊球位于该导电柱上并覆盖该承载面。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该承载面与外部接触的表面积大于或等于该水平截面面积的1.2倍。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中该半导体结构具有一量自该导电柱承载面上最高点至该金属层表面的导电柱高度与一量自该导电柱承载面上最低点至该金属层表面的低点高度，其中该低点高度介于该导电柱高度的70%-95%。

4.根据权利要求2所述的半导体结构，其中该导电柱具有一量自该导电柱承载面上最高点至该金属层表面的导电柱高度，其中该承载面上最高点至该承载面上最低点的距离为该导电柱高度的5-15%。

5.根据权利要求3或4所述的半导体结构，其中该承载面为一内凹曲面。

6.根据权利要求3或4所述的半导体结构，其中该承载面包含至少一突起部。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中该承载面进一步包含一环绕该至少一突起部底端的第一平面，该至少一突起部具有一侧壁，其中该侧壁与该第一平面所夹角度θ介于70-90度。

8.根据权利要求3或4所述的半导体结构，其中该承载面具有一环壁及一内凹区，其中该环壁围绕该内凹区。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其中该环壁具有一内侧壁，其中该内侧壁与该内凹区表面所夹角度θ介于70-90度。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该金属层为一球下金属层。