[发明专利]半导体结构无效

专利信息
申请号: 201310059000.4 申请日: 2013-02-25
公开(公告)号: CN103681554A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 廖宗仁 申请(专利权)人: 南茂科技股份有限公司
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485
代理公司: 北京市铸成律师事务所 11313 代理人: 郝文博
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 结构
【说明书】:

技术领域

发明涉及一半导体结构,特别针对焊球与其所附着的元件之间的技术提出改善。

背景技术

随着半导体科技的日新月异,电子产业经历了由厚膜至薄膜的快速变革,以及从不停歇的微小化制程改良。半导体封装是一门建立半导体元件之间连结以形成一电路的科学,也因应半导体与电子产业的不断进步而快速发展。

在半导体封装制程中,焊球与晶片或其他元件的接合须有一定的可靠度,以避免在完成封装后产生电性失效或故障。在大部分的情形下,主要是附着在如焊垫或导电柱上,然而,在实际状况,却常发生焊球脱落或无法有效附着的情形而导致良率无法有效地提升。

因此,如何增加焊球与半导体元件间的附着力以提高其可靠度实为一重要的课题。

发明内容

本发明所述一实施例,为一半导体结构具有一半导体基材,在半导体基材上有一金属层,一导电柱形成于金属层上并与金属层电连接。导电柱具有一承载面,可将一焊球置于其上,导电柱有一位于承载面下方的一水平截面。承载面与外部接触的表面积大于水平截面面积。

本发明所述一实施例中,承载面为一非水平的截面,其为一中间有突起部的表面。

本发明所述一实施例中,承载面为一非水平的截面,其为一内凹曲面。

本发明所述一实施例中,承载面为一非水平的截面,其具有一环壁及一内凹区,其中环壁围绕内凹区。

本发明所述一实施例中,所述的金属层为一球下金属层(UBM)。

为能进一步了解本发明的上述与其他的优点可透过以下的实施方式与所附的例图综观之。

附图说明

图1A-1B是本发明半导体结构之导电柱承载面具有一突起部的实施例;

图2A-2D显示系本发明半导体结构之导电柱承载面具有一突起部的实施例的制造方法;

图3是本发明半导体结构之导电柱承载面具有一突起部的实施例;

图4是本发明半导体结构之导电柱承载面具有一内凹曲面的实施例;

图5是本发明半导体结构之导电柱承载面具有一内凹区的实施例;

图6是本发明半导体结构之导电柱承载面具有复数个突起部的实施例;

图7-8是本发明半导体结构之导电柱上具有焊球的实施例。

【主要元件符号说明】

10     半导体结构

100    半导体基材

101    金属层

106    焊垫

105    球下金属层

102      重分布线路层

200      导电柱

210      承载面

210a-e   承载面

212      第一平面

214      侧壁

216      内凹区

218      环壁

219      内侧壁

220      水平截面

240      突起部

300      焊球

400      光阻

500      光罩图案

100      基板

101      干膜

110      第一表面

200      晶片

202      接垫

204      线路层

210      焊球

300      封胶体

301      开孔

302      第一表面

304      第二表面

306      孔洞

310      焊球

320      承载面

400      导电层

402      导电柱

500      第一介电层

502      第二介电层

503      第三介电层

5031     第三介电层第一表面

510      孔洞

520      第二孔洞

具体实施方式

以下所述的详细内容主要是用来举例说明本发明中所提的例示装置或方法,所述内容不应用来限定本发明,而且对于任何与本发明概念均等的功能与元件皆不脱离本发明的精神。

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